首页 > 《北京同步辐射装置年报》 > 1998年1期 > GaN外延衬底材料LiGaO2晶体的生长缺陷

GaN外延衬底材料LiGaO2晶体的生长缺陷

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要 LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。

DOI zdlpgn2m4l/1407188

作者徐科;田玉莲;等

机构地区不详

出处《北京同步辐射装置年报》 1998年1期

关键词 GAN 外延衬底材料 LiGaO2晶体 X射线貌相术氮化镓 TEM

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 1998年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1徐科;田玉莲;等. LiGaO2晶体的压电特性和缺陷的X射线貌相研究.核技术及应用,1998-01.
2马继云;方煦;M. Kamran;赵华英;毕聪志;赵柏儒;邱祥冈. Temperature dependent phonon modes and ionicity of LiGaO2 single crystal.物理,2008-09.
3孙再吉. 日本Dowa公司有意开发GaN衬底材料.物理电子学,2005-06.
4陈裕权. 在Si衬底上生长高品质GaN膜.物理电子学,2003-03.
5刘希玲;徐忠彬;等. LBO晶体的生长缺陷研究.核技术及应用,2000-01.
6李前进;葛久志;侯想;项艺. 图形化蓝宝石衬底上利用AlN缓冲层生长GaN的研究.光学工程,2015-04.
7牟其善;马长勤;等. KTiOAsO4晶体的生长缺陷研究.核技术及应用,2000-01.
8刘希玲;马长勤;等. LiNdP4O12晶体的生长缺陷.核技术及应用,2000-01.
9刘希玲;马长勤;等. LiNdP4O12晶体的生长缺陷.核技术及应用,1998-01.
10陈裕权. Kyma推出非极性和半极性GaN衬底.物理电子学,2006-04.

来源期刊

北京同步辐射装置年报

1998年1期

GaN外延衬底材料LiGaO2晶体的生长缺陷

来源期刊

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

GaN外延衬底材料LiGaO2晶体的生长缺陷

来源期刊

相关推荐

同分类资源 更多

相关关键词

同分类资源更多