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测量XAFS谱的全电子产额技术

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摘要在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X－射线在样品表面激发出的电子产额随X－射线能量的变化，提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明，在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单，可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立，有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

DOI 5jo68npzjv/1433360

作者刘涛;胡天斗;等

机构地区不详

出处《同步辐射装置用户科技论文集》 2000年1期

关键词测量 XAFS谱全电子产额技术同步辐射 X-射线吸收精细结构磁控溅射

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 2000年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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