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尖端集电效应在薄膜沉积中的应用

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摘要本文利用尖端集电原理，在射频平衡磁控溅射过程中通过施加衬底偏压沉积了Cu20薄膜。然后用原子力显微镜和掠入射x射线衍射仪对薄膜样品的形貌和结构进行表征。研究结果表明，不管施加的是正偏压还是负偏压，所制备Cu2O薄膜的形貌和结构相差不大，均呈现出疏松多孔和（111）择优取向的特点。进一步地，从尖端集电的角度对平衡磁控溅射沉积过程中的偏压效应进行了合理解释。

DOI 54y91x9md0/1555304

作者苏江滨;刘阳;蒋美萍;周磊

机构地区不详

出处《大学物理实验》 2015年5期

关键词尖端集电偏压多孔薄膜磁控溅射

分类 [理学][物理]

出版日期 2015年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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