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TriQuint的GaN／Si HEMT达到创纪录的功率水平

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摘要 <正>TriQuintSemiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si衬底AlGaN/GaNHEMT。这种器件10GHz下的连续波输出功率密度达到7W/mm。此结果表明,GaN/Si已发展到对中、大功率晶体管具有吸引力的水平,可望用于X波段功率MMIC甚至更高的频率。

DOI wjvx2km647/1563826

作者刘广荣

机构地区不详

出处《半导体信息》 2005年3期

关键词 GaN 功率水平大功率晶体管 Si HEMT TRIQUINT

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2005年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）