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28nm到14nm工艺代沟,全耗尽硅技术如何弥补

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摘要 <正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

DOI pj09oxn8jy/1564075

作者赵佶

机构地区不详

出处《半导体信息》 2012年4期

关键词 NM 加值技术进步埋层传统工艺技术生产步骤

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2012年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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