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《大学物理实验》
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2016年4期
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测量I-V特性分析阻变存储器的导电机制
测量I-V特性分析阻变存储器的导电机制
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摘要
介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。
DOI
54k6g9kljk/1652357
作者
谢伟
机构地区
不详
出处
《大学物理实验》
2016年4期
关键词
电致阻变
I-V特性
导电机制
分类
[理学][物理]
出版日期
2016年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
大学物理实验
2016年4期
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