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磁性[Co（t）／Cu]n周期多层膜的结构与巨磁电阻效应

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摘要用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n＝20,30)周期多层膜，利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质，样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t＝1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构，探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。

DOI pd5ye38rj7/2051947

作者吴小山;谭伟石;游彪;陈佐子;蒋树声;王俊;丁永凡;吴忠华

机构地区不详

出处《北京同步辐射装置年报》 2001年1期

关键词 n周期多层膜结构巨磁电阻磁控溅射同步辐射掠入射X射线散射

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 2001年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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