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用无条纹硅制造的整流管和晶闸管的击穿行为

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摘要利用核反应^30Si(n,γ）^31Si→β^-^31P，硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值，测得的电阻率分布情况表明，掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明，这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400～5200V的电压阻断容量。

DOI pkd2w9q0d6/318338

作者 M．斯克努勒;王正元

机构地区不详

出处《电力电子》 2003年6期

关键词核反应掺杂硅电阻率均匀无条纹二极管晶闸管阻断容量

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2003年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）