摘要
接口特征在薄电影设备的性能上拥有很重要的影响。ITO/PTCDA/p-Si薄电影设备与真空蒸发和噼啪声免职方法被建立。ITO/PTCDA/p-Si的表面和接口电子国家被X光检查光电子光谱学(XPS)和氩离子横梁调查蚀刻技术。结果在ITO/PTCDA/p-Si，不是仅仅ITO/PTCDA-Si的接口显示那而且PDCDA-Si能生产散开。而且，每个原子的XPS系列显得化学移动，和Ols和Ols的化学移动是更显著的。CLC数字O484文件代码A工程被中国的国家自然科学基础支持(不同意60076023)
出版日期
2006年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
