New design of sense amplifier for EEPROM memory

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摘要 我们在场为电可擦可编程只读存储器记忆的一个新感觉放大器电路。感觉放大器的拓扑学使用察觉到方法的电压,有象高可靠性一样的低成本和低动力消耗量。感觉放大器在与嵌入的电可擦可编程只读存储器处理的一个SMIC0.35-μm2P3M互补金属氧化物半导体认识到的一个电可擦可编程只读存储器被实现。在电力供应是3.3V的条件下面,模拟结果证明费用时间是在建议感觉放大器的35ns,并且最大值在read时期期间平均当前的消费,这是40μA。新奇拓扑学允许电路与象1.4V一样低的电力供应工作。感觉放大器为RFID标签IC应用在2-kb电可擦可编程只读存储器记忆被实现了,并且有240仅仅μm2的一个硅区域。
机构地区 不详
出版日期 2009年02月12日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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