摘要
摘要：伴随着摩尔定律的发展，集成电路（以下简称IC）的发展经历了从小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）、甚大规模集成电路（VLSI） 直至今天的超大规模集成电路（ULSI）、巨大规模集成电路（GSI）。根据国际半导体技术路线图（ITRS）的规定，集成电路工艺水平是通过技术节点来衡量。技术节点通常以晶体管的半节距 （half-pitch） 或栅极长度（gatelength）等特征尺寸（CD，critical dimension）来表示 。在进入 ULSI 时代以后，横向空间的饱和，促使 IC 制造向垂直空间发展；向垂直空间发展的思路促使多层金属互连技术的出现。而多层金属互连技术的出现导致 IC 制造过程中不可避免的在层与层之间产生台阶，层数越多表面起伏愈加明显。明显的表面起伏主要有两方面的影响产生，一方面金属布线中容易导致断线、短路、断路，另一方面导致光刻时对线宽失去控制。
出版日期
2023年08月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
