首页 > 《电力电子》 > 2010年4期 > 额定电流超过2000A的下一代3300V BIGT HiPak模块

额定电流超过2000A的下一代3300V BIGT HiPak模块

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要本文闸述一种被称作双模式绝缘栅晶体管（BimodeInsulatedGateTransistor，缩写为BIGT）的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流超过2000A的3300VHiPak模块，给出了静态、动态特性的测试结果以及棚关参数，这反映出采用新技术后器件的基本性能将要达到的水平。本文还涉及器件的安全工作区、软度、可靠性等其他方面的性能，测试时的结温最高达到150℃。此外，首次给出丁在硬开关频率条件下的BIGT的性能。

DOI 34g1lv5349/915679

作者 A．Kopta M Rahimo R．Schnell M．Bayer U．Schlapbach J．Vobecky

机构地区不详

出处《电力电子》 2010年4期

关键词额定电流模块绝缘栅晶体管安全工作区 GATE IGBT

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2010年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）