摘要
1064nm,532nm有在涂层和底层之间的SiO2的缓冲区层的加倍频率的antireflection(AR)涂层被电子横梁蒸发技术在锂triborate(LiB3O5或LBO)的底层上制作晶体。样品的剩余反射分别地在1064nm和532nm是0.07%和0.11%。粘附和样品的导致激光的损坏阀值(LIDT)比200mN和18.6J/cm2大。粘附的加强的机制和SiO2的缓冲区层的LIDT被考虑完整的塑料缩进讨论并且砍一部plated电影的理论,和分裂分别地由热吃惊应力导致了。
出版日期
2011年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)