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应力与
本
征缺陷影响硅晶体电学性质机理第一性原理研究
作者:
史文强包云龙李青坤
学科:
社会学
创建时间:2019-03-13
出处:
《科学与技术》
2019年第03期
机构:黑龙江大学150080
简介:
标签:
硅
应变硅技术
禁带宽度
第一性原理
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应力与
本
征缺陷影响硅晶体电学性质机理第一性原理研究
应力与
本
征缺陷影响硅晶体电学性质机理第一性原理研究
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