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  • 简介:采用理论模拟和IVA(inductivevoltageadder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入射脉冲辐射注量是PIN探测最大线性电流对应注量的16.2倍时,PIN探测输出电荷仍然与脉冲辐射强度呈线性变化,偏离线性小于5%.

  • 标签: PIN探测器 线性电荷 脉冲辐射测量