简介：摘要煤是中国的主要能源。国有煤矿是中国煤炭生产的主体。由于国家宏观政策和煤炭企业的特殊性，煤炭企业的生产成本不断提高。加强成本管理、降低成本是企业提高经济效益、增强市场竞争力的重要手段。目前，煤矿企业主要控制生产成本控制，而忽视了煤矿劳动力成本的控制。通过人力资源管理降低劳动力成本是国有煤矿降低企业成本、提高经济效益的重要途径。

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简介：<正>人类社会正从信息经济逐渐走向生物经济时代。而作为生物经济的基础,基因技术与医疗健康、农业和工业的融合,将在未来全面改变人类的生产生活方式和社会经济模式。然而,作为一门近二十年来飞速发展的前沿学科,整个社会对基因组学、基因技术还知之甚少,尤其是在基因科技的认知、普及和推广,以及

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简介：摘要随着新经济时代不断的发展，我国市场经济不断发展与民营企业经济发展壮大，民营企业人力资源管理重要性也是更加的显著。我国绝大部分的民营企业管理人力资源管理模式已经远远不能适当当代企业发展需要。因此，怎样创建适应民营企业管理需要的人力资源管理模式就是企业增加经济效益，提升企业竞争力的关键，下面就对其进行简要的阐述。

简介：文章对清管器的结构、性能、应用特点进行了全面分析,并对它在输水管、输油管及工业管线清洗中的应用情况做了具体介绍

简介：摘要企业的管理中，人力资源管理正在变革，信息化技术已经渗透到其中。在信息化技术下，员工、管理者以及人力资源部门可以被有效的结合，按照企业的不同需求，进行不同程度的资源共享。本文分析当下信息化人力资源管理的研究进展，为企业的人力资源创新及发展做铺垫。

简介：摘要经济全球化，市场经济迅猛发展，市场竞争越发激烈，企业要想在市场竞争中处于优势地位，首要环节就是培训企业员工素质与开发人力资源，企业员工培训与人力资源开发是提高企业员工素质是必不可缺的因素。本篇文章，从企业员工培训与人力资源开发的实际意义展开，探讨员工培训与人力资源开发存在的问题原因以及对策，从而培养优秀员工，企业面对市场竞争压力减小。

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简介：首先,分析了智能技术快速发展对战争面貌的深刻影响、智能化无人作战系统对传统作战样式的变革以及复杂多元涉空作战行动对空战场的重构作用;其次,从空域态势感知、战场空域规划、决策控制和安全风险等方面研究了智能化战争形态下战场空域管控面临的严峻挑战;最后,从战场空域管控模式重构、智能化战场空域规划、实时自主协同与智能决策以及“制智权”夺取等方面阐述了智能化战争战场空域管控工作,为我军开展智能化战争形态下战场空域管控指明了发展方向。

简介：摘要本文从HJ集团人力资源管理信息系统建设的实践出发，阐述系统建设的总体方案、主要目标、建设内容、建设方法和主要经验。

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

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简介：太赫兹回旋管一种具有重要发展前景的高功率太赫兹源。简要介绍了回旋管的结构和基本原理，并且评述了国内外太赫兹回旋管的发展状况和趋势；同时指出了太赫兹回旋管发展中存在的关键问题及一些建议。

简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：太赫兹频谱有很多优越特性,在生物医疗、安全检查及军事领域中具有重要的应用前景。太赫兹源是太赫兹波领域研究中的关键技术,制约着太赫兹技术的发展。从介绍太赫兹源的研究与发展动态出发,阐述了雪崩渡越时间二极管(IMPATT)器件的工作机理、等效分析模型及注锁牵引稳频振荡理论,给出了几种基于IMPATT管获取电子学固态太赫兹源的方法。

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简介：摘要在经济全球化的大背景下，近些年来我国的企业进行了快速的发展，大大的推动了我国的经济建设发展。目前的社会已经进入了大数据时代，我国的企业为了能够跟上时代的步伐，对自己的人力资源绩效的管理方面要进行不断的更新改进。目前的计算机信息技术在企业中的应用非常的广泛，已经渗透到了企业工作中的各个方，在企业进行工作的时候会产生大量的数据，这些数据的记录、整理、处理、以及分析的工作就非常的重要，在传统的人力资源绩效管理方面有很大的不足，不能够准确的、不能客观的对人力资源数据进行分析和整理。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现