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简介：7月22日,VirageLogic公司和中芯国际集成电路有限公司共同宣布其长期合作伙伴关系扩展到40nm的低漏电工艺技术。VirageLogic公司和中芯国际从最初的130nm工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的IP,涵盖的工艺广泛还包含90nm以及65nm。

简介：<正>继"汉芯一号"在去年上半年问世后,我国具有完全自主知识产权的"汉芯二号"和"汉芯三号"日前在沪宣布诞生。据悉,"汉芯二号"和"汉芯三号"都是高端的芯片,其中"汉芯二号"是我国首颗以IP专利授权的方式进入国际市场的"中国芯",国外公司在其产品中每嵌入一片"汉芯二号",

简介：中芯国际集成电路制造有限公司，中国规模最大、技术最先进的集成电路代工厂，近日宣布与中国投资有限责任公司（以下简称“中投公司”）达成投资协议。根据协议条款，中投公司将投资中芯国际2．5亿美元，以每可转换优先股5．39港元获得360589053股之可转换优先股。新股发行及转换后，中投公司将拥有中芯国际已发行约11．6％的股权。该协议还同意，中投公司可以在相同条件下增加0．5亿美元认股权证，并可在中芯国际董事会提名一位董事。

简介：<正>闪存供货商Spansion公司宣布,通过与中芯国际合作,他们加强了其对中国市场的关注。Spansion将转让其65nmMirroBit技术给中芯国际,作为在华的300mm

简介：新思科技有限公司（Synopsys,Inc.）日前宣布：该公司所提供经芯片生产验证的DesignWareTM数据转换器IP,已被应用于中芯国际广受欢迎的65nm低漏电（LowLeakage）工艺技术。这可帮助设计工程师更有效地提升其芯片的功率,并在集成设计上达事半功倍之效。

简介：<正>全球第一大制剂生产国、第二大原料合成国家、仿制药大国,这是世界医药业界给中国的定位。这看上去很美的光环背后,却是中国医药市场上县级以上三家医院60%的产品由跨国药企提供,65%的利润为跨国企业所有的尴尬局面。"这就意味着国内近4000家药企争夺的只是剩下的利润。"微芯生物总裁、首席科学家鲁先平博士直言不讳地指出,国内药企多以价格竞争谋取非常少的利润。"其实,这其中的利润大部分又被中间商、医院或者其他不透明系统瓜分了,真正留给药企承担风险的能力和正常的

简介：<正>中芯国际和IBM联合宣布,两家公司已签订45纳米BulkCMOS技术许可协议。根据该协议,IBM将把45纳米低功耗高速BulkCMOS技术转移给中芯国

简介：<正>《中国电子报》消息:6月2日,中芯国际首台12英寸晶圆生产设备进厂。此设备将用于中芯国际位于北京的12英寸晶圆制造厂,该厂是在我国建设的首座12英寸晶圆厂,该设备的进厂标志着我国IC制造业开始步入300mm时代。中芯国际12英寸晶圆厂已经拥有英飞凌和尔必达这些国际领先的合作伙伴,并且将在12英寸生产方面继续持谨慎态度,只有在客户需求的情况下,才会增加产能,到2005年底,中芯国际北京四厂的计划产能为45000片/月(以8英寸等值晶圆计算)。

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简介：中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）于9月8日在上海举行了中芯国际2006年技术研讨会。本次研讨会吸引了三百多位来自全球各地的客户、芯片设计工程师、技术合作伙伴与供应商等的参与。

简介：全球领先的硅产品知识产权平台解决方案和数字信号处理器内核授权厂商CEVA公司宣布,中国合肥东芯通信股份有限公司已获授权使用CEVA-XDSP内核用于其下一代TDD／FDD—LTELIE基带SoC产品设计。CEVA—X为东芯通信瞄准大批量市场的4G多模处理器设计提供了能效高、功能强且非常灵活的DSP引擎。

简介：采用Lighttools仿真软件对荧光粉散射特性进行理论分析,提出透光率≥95%的平面高硼硅玻璃作为COB基板。结果显示,在常见的荧光粉粒径大小与浓度下,荧光粉反向散射可达29%。采用高透光玻璃作为基材,增加了荧光粉反向散射光线的利用率,并制作了双面发光的高取光率长条形COBLED并表征其性能参数与可靠性试验。该暖白光3000KCOBLED具有180lm/W高光效,发光角度大于250°,色容差小于5SCDM,可靠性好。与陶瓷基板、铝基板的COBLED结构相比,该结构可提高取光率约15%,有潜力用于大功率LED封装应用。

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简介：市场研究公司ICInsights最新出具的2010年全球晶圆代工企业排名中,台积电全年收入依旧位列全球第1,三星电子仅列全球第10。根据ICInsights的数据,三星2010年的晶圆代工业务收入达到4亿美元,

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简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

简介：摘要小学语文教学中阅读与写作教学的有效融合能够提升学生语文学习的学习效率和成果，同时也能够增进学生的语文学习兴趣。对此，教师需要在把握学生语文学习规律和特点的基础上，不断尝试阅读与写作相互融合的教学方式。在本文中，笔者将重点探讨小学语文教学中阅读与写作教学有效融合的教学策略。