简介:根据直接序列扩频(DS-SS)信号的特点,将其建立为循环平稳模型。利用循环谱分析的方法估计了低信噪比下DS-SS信号的载波频率。利用时域平滑循环周期图估计了循环谱密度函数,在循环谱密度函数的数字实现过程中,研究了有限采集数据条件下数据截短点数对循环谱的时域平滑周期图估计性能的影响,分析了经过时域平滑后的DS-SS信号载频估计精度。最后,仿真实验验证了算法的有效性。
简介:全球彩色商务领域的领导厂商柯尼卡美能达(KonicaMinolta)2007年1月25日在京举行了主题为“聚焦巅峰、一矢中的”2007年度新策略新闻发布会。2006年.柯尼卡美能达取得了优异的业绩,数码复合机、激光打印机两大产品线均实现了业绩大幅增长。在优异的业绩基础上.柯尼卡美能达提出了2007年度“A3幅面彩色数码复合机市场第一名、彩色激光打印机稳固前三”的全新市场目标,实施“关注高附加值领域,推进销售结构改革”的新策略。此次柯尼卡美能达2007年度新策略的率先发布,拉开了新一轮“彩色商务”革命的序幕,在即将展开的07年度市场争夺中占据了先机。
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。