简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：

简介：在电子产业无铅化的转折期。元件供应商也许要为区分无铅与含铅的不同元件而准备双重的生产线。这会给制造部门的后勤供应带来问题。当生产中实现全部的无铅化后，这一问题才可能解决。因此，研究Sn—Ag—CuBGA元件使用共晶Pb—Sn焊膏的焊点可靠性问题，在当前非常必要。本文提出了关于VFBGA（极细间距BGA）及SCSP（芯片级尺寸封装）无铅封装元件在印刷电路板（PCB）组装中使用共晶Pb—Sn焊膏的焊点可靠性评估。在标准的Pb—Sn组装环境下，使用了各种不同的回流曲线。峰值温度从208℃至222℃。回流曲线类型为浸润型曲线（SoakProfile）及帐篷型曲线（DirectRampUpProfile）。组装后的PCB板被选择进行了板级温度循环测试（-40℃至125℃，每30分钟循环一次）及跌落测试。失效细节分析同样会在本文提及。

简介：PolycrystallineZnOfilmswerepreparedonglasswaferusingZntargetsbyradiofrequency(RF)reactivesputteringtechniqueunderdifferentdepositionconditions.X-raydiffraction(XRD)andopticaltransmittancespectrumwereemployedtoanalyzethestructureandopticalcharacterofthefilms.Thestrainandstressinfilms,aswellasthepackingdensityarecalculatedintermsofrefractiveindexoffilmsmeasuredwithanellipticpolarizationanalyzer.ItisthedepositionconditionsthathavegreateffectsonthestructuralandopticalpropertiesofZnOfilms.Undertheoptimalconditions,theonlyevidentpeakinXRDspectrumwas(002)peakwiththefullwidthathalfmaximum(FWHM)of0.20°showingthegrainsizeof42.8nm.Thepackingdensity,thestressin(002)planeandtheaverageopticaltransmittanceinthevisibleregionwereabout97%,-1.06×109N/m2and92%,respectively.

简介：在ZnO的性质上评估ZnO缓冲区层和艾尔比例的影响：艾尔(偶氮)/ZnO双性人层电影，一系列AZO/ZnO电影被电子横梁蒸发在石英底层上扔。X光检查衍射测量证明这些电影的水晶质量随电影厚度的增加被改进。这些电影的电的性质被调查。搬运人集中和霍尔活动性两个都随缓冲区层厚度的增加增加。然而，抵抗力到达在大约50nm厚的缓冲区层最低。最低抵抗力和最大的霍尔活动性两个都在1wt%艾尔集中被获得。但是所有这些电影的光发射度不管有比在可见区域的5wt%低的艾尔集中的缓冲区层厚度比80%大。

简介：Cr-dopedZnOthinfilmsarepreparedonglasssubstratesbythemagnetronsputteringtechnique.AnX-raydiffraction(XRD)isusedtoanalyzethestructuralpropertiesofthethinfilms.Itindicatesthatallthethinfilmshaveapreferentialc-axisorientation.Thepeakpositionofthe(002)planeshiftstothehigher2θvalue,andthepeakintensitydecreaseswiththeincreaseofCrdoping.Theresultsofthescanningelectronmicroscopy(SEM)showthatthesurfacemorphologybecomesloosewiththeincreaseofCrdoping.Besides,itisfoundfromthephotoluminescence(PL)measurementatroomtemperaturethattheultravioletemissionpeakandgreenemissionbandarelocatedat375nmand520nm,respectively,andbothintensitiesofthemdecreasewiththeincreaseoftheCrdopingconcentration,whilethebandgapoftheultravioletemissionshiftstothelowerwavelength.TheexperimentalresultsconfirmthattheoptimalCrdopingconcentrationis2at.%.

简介：ZnO/diamond-like碳(DLC)薄电影被搏动的激光免职(PLD)在Si(111)上扔晶片。可见房间温度光致发光(PL)被荧光分光光度计从ZnO/DLC薄电影观察。PL系列的Gaussian曲线试穿表明可见排放包含的宽带有=508nm，554nm和698nm的三个部件。起源和可见PL的可能的机制被讨论，并且他们能被归因于ZnO和DLC薄电影的PL再结合。

简介：一个答案阶段方法准备的ZnOnanorods在氧在不同温度被退火周围。样品的光性质被调查。处于一样的刺激条件，所有样品的光致发光(PL)系列出现一紫外(紫外)排放和一个宽广强壮的可见排放乐队。退火的样品的不对称的可见排放乐队有一象从200牤畯?潳楤浵猠汵桰瑡?敷敲愠摤摥琠?桴?慷整?慳灭敬※湡漠敶?整灭牥牰?牰增加的退火的温度红移动吗？？

简介：ZnOquantumdots(QDs)withthesizesof3.0-5.6nmaresynthesizedbysolution-phasemethodatdifferenttemperatures.WefindthattemperaturehasgreatinfluenceonthesizeofZnOQDs.Thegrowthprocessisthemostsensitivetotemperature,andtheprocessiswellexplainedbyLifshitz-Slyozov-Wagner(LSW)model.Byphotoluminescence(PL)spectraofthequantumdotsatdifferenttemperaturesandreactivetime,wecometoaconclusionthatultravioletemissionismainlyduetosurfacedefects,andtheor...

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：做Fe的ZnO(Zn0.99Fe0.01O)粉末被球milling成功地与不同milling时间准备，并且用X光检查衍射(XRD)被调查，扫描电子显微镜(SEM)，紫外可见(紫外力)光谱学，颤动的样品磁强计(VSM)和电子顺磁的回声(EPR)光谱学。用XRD的结构的分析表明在时间能在wurtzite，并且在XRD使结晶的不同milling的做Fe的ZnOmilled组织模式，与有XRD仪器的敏感的Fe簇有关的第二等的阶段不能被发现。为24h的样品milled的SEM图象显示出球形的nanoparticles的存在。从光分析，光乐队差距被发现与增加milling时间减少，它显示Fe2+离子的加入进ZnO格子。用VSM的磁化测量表明nanoparticles在房间温度展出铁磁性的行为，并且磁化与增加milling时间逐渐地增加。结论被nanoparticles的顺磁的回声在房间温度检验了的电子进一步证实，它显示出与Fe离子有关的一个强烈、宽广的铁磁性的回声信号。

简介：多晶的ZnO电影用收音机频率磁控管在是在不同时间的sputteretched的玻璃底层上劈啪作响被准备。两ZnO谷物和root-mean-square(RMS)的尺寸粗糙减少，底层的sputteretching时间增加。更多的Zn原子在这些电影被绑在O原子，并且缺点集中与增加底层的蚀刻噼啪声的时间被减少。同时，crystallinity和c轴取向在底层的更长蚀刻噼啪声的时间被改进。在99cm1，438cm1和589cm1的拉曼山峰作为E2被识别(低)，E2(高度)和E1(LO)模式，分别地并且E1(LO)山峰蓝色的位置变在更长蚀刻噼啪声的时间。这些电影的发射度，在底层上被扔并且为10蚀刻min和20min，比在30min的更长蚀刻噼啪声的时间下面扔的电影的在可见区域是更高的。bandgap随底层的蚀刻噼啪声的时间的增加从3.23eV增加到3.27eV。

简介：<正>距本刊上一次采访汤昌丹,时间已经过去了17个月。与上次见面相比,汤昌丹脸上依然是笑容可掬,但不同的是在汤昌丹带领下的深圳瑞华泰薄膜科技有限公司(以下简称"瑞华泰")在不经意间"轻舟已过万重山",从当初的创业艰难步入平稳快速发展期。而当初让汤昌丹和瑞华泰声明大噪的"黄金薄膜"——聚酰亚胺薄膜产品,也已经完成第一期项目的建设,3条1200毫米幅宽高性能聚酰亚胺薄膜连续化生产线正式投产,目前达到年生产能力350吨,成为业内首屈一指的龙头企业。而过去的8年中,作为瑞华泰总经理的汤昌丹经历的,却远远不止这些,

简介：对于有机薄膜器件（包括有机电致发光器件（OLED）和有机场效应晶体管（OTFT））,器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金（MgAg）为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝（Alq3）为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。

简介：综合分析了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的国内外研究现状,概述了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的润湿性、微观组织、界面反应、力学性能、焊点可靠性、物理性能等性能特点。从钎焊工艺、添加微量元素等方面阐述了Sn-Cu-Ni系钎料各项性能的影响因素,并对Sn-Cu-Ni系钎料的应用前景和研究方向进行了展望。

简介：当电子运输层被学习，ZnO的表面形态学与ZnO在不同退火拍摄温度和聚合物太阳能电池(PSC)的表演。低温度大音阶的第五音胶化处理了ZnO电影在更高的温度比那有更光滑的表面，它为P3HT与3.66%的力量变换效率(PCE)导致最好的光电的性能:PC61BM基于的太阳能电池。与增加退火的温度，光电的表演首先死亡然后增加。它能被归功于到接口区域，传导性和ZnO电影的表面精力和设备的系列抵抗的协同作用效果。

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3（001）衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁（MgO）衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。

简介：<正>稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调

简介：Theformaldehyde(HCHO)detectingatroomtemperatureisofgreatsignificance.DifferentratiosofP3HT/ZnOcompositefilms(3:1,1:1,and1:3)weredepositedontheorganicthinfilmtransistor(OTFT)byspray-depositiontechnology,andtheelectricalpropertiesandHCHO-sensingpropertiesofallthepreparedOTFTdevicesweremeasuredbyKeithley4200-SCSsourcemeasurementunit.TheresultsshowthattheOTFTsensorbasedontheP3HT/ZnOfilmswiththeratioof1:1exhibitedthebestoutputandtransfercurves.DifferentchangingtendencywereobservedwiththeincreaseofZnOproportionwhenexposedtoHCHOatroomtemperature,andthedevicewiththeratioof1:1behavedagoodresponseandrecoverycharacteristics.