简介：步入2012年，PCB项目落地、开工、投产潮精彩依然。重庆两江新区，欣兴全资子公司投资1．6亿美元成立一家高新科技工厂——欣益兴科技（重庆）有限公司，一期年产42万平方米多层及高密度线路板；湖北黄石经济技术开发区，沪土电子印制电路板项目总投资33亿，达产规模将达到300万平方米／年；

简介：CHS（CapitalHarnessSystem）是国际著名EDA厂商MentorGraphics公司专为航空、航天、车辆等领域开发的专业线缆线束设计软件工具包，覆盖了从系统级设计、逻辑设计到线束设计、制造、分析的完整线缆线束工程化流程。

简介：据报道，三星电子已决定成立一个独立的代工或合同芯片制造业务部门，以满足科技行业对手猛增的需求。

简介：韩国三星公司最近显著加大了逻辑芯片制造技术的研发力度，该公司最近成立了新的半导体研发中心，该中心将与三星现有的内存芯片制程技术研发团队一起合作，进行新半导体材料、晶体管结构以及高性能低功耗半导体技术的研发。另一方面，三星旗下的芯片厂除了正在积极准备45nm制程芯片的量产，同时作为IBM技术联盟的一员，也在积极研发下一代32nm／28nm制程技术．

简介：IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布：他们将在高k金属栅（HKMG）技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统（SoC）设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。ARM同时宣布：将利用公共平台HKMG32纳米／28纳米技术独特的特性，开发定制化的物理IP，以实现当前和未来的ARMCortex系列处理器在功耗、

简介：三星电子日前宣布，公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称，公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。

简介：11月3日，三星电子公布了第三代10纳米制程技术（10LPU）的最新细节。三星在今年10月中抢下业界头香、10纳米制程技术率先量产，这使其与台积电的先进制程竞赛如火如荼。

简介：三星近日宣布，第二代10nmFinFET工艺已经开发完成，未来争取10nm产品代工订单将如虎添翼。三星第一代10nm工艺于去年10月领先同行导入量产，目前的三星Exynos9与高通骁龙835处理器均是以第一代10nm工艺生产。

简介：奥地利微电子公司日前宣布，正为三星Galaxy智能电话系列的四种型号大批量供应智能环境光与接近传感器。

简介：据报道，三星电子将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂，占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3DNAND闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。据报道，三星已要求合作伙伴在5月底之前供应必要的芯片制造设备。

简介：2015年12月9日，韩国三星电子进行了部门重组，并宣布将新设“电装事业组”，进军智能汽车技术领域。随着苹果、谷歌和亚马逊等全球知名IT电子企业纷纷投身于新一代汽车领域，三星电子也对外表示将正式进军智能汽车电装配件领域，这引发了外界极度的关注。

简介：据国外媒体报道，从事半导体晶片和微电子系统反向还原工程及分析的Chipworks产品经理吉姆。莫里森（JimMorrison）今天确认，iPhone4S采用的A5处理器是由三星公司制造。

简介：日前，三星电子宣布从7月份开始正式量产适用于新一代高端移动设备的，具备全球最高运行速度的64GB内嵌式存储器产品。据悉，三星电子继2012年5月推出的20纳米级64GBToggleDDR2．0NAND闪存之后，

简介：近日，展讯通信有限公司宣布其HSPA／WCDMA射频（“RF”）芯片SR3100已面向三星电子供货。展讯是中国领先的2G和3G无线通信终端的核心芯片供应商之一。

简介：三星电子日前宣布，已经成功实现了20nm工艺试验芯片的流片，这也是迄今为止业内最先进的半导体制造工艺。三星电子此番利用了美国加州电子设计自动化企业CadenceDesignSystems提供的一体化数字流程RTL—to—GDSII。

简介：2017年8月8日，生益电子股份有限公司（简称：生益电子）受邀出席三星电子在韩国水原总部举行的年度优秀供应商授奖会议。生益电子获得三星电子2017年度上半年“最佳品质奖”，三星电子网络事业部全球CS总裁李正九先生出席会议，并亲自为生益电子授奖。

简介：电子信息行业是知识产权纠纷的高发领域。目前,知识产权诉讼已经突破了＂权利之争＂的界限,而被越来越多的企业当作商业竞争的有效手段。以闪存市场为例,上游企业围绕芯片专利争讼不断,互相挑起337调查打压竞争对手,我国生产企业因身处产业链下游而腹背受敌,频遭牵累。因此,为保证国内产业持续健康发展,企业知识产权风险处置意识和能力亟待提高。