简介：本文介绍有关大面积IGT(集成门极换流晶闸管)改进安全工作区(SOA)的三个概念:优化门极电路;通过优化掺杂浓度分布和辐照来改进局部安全工作区;借助于辐照来补偿横向效应。局部SOA的优化同改进门极电路相结合,会使创记录的阻断SOA达到1MW/cm2的开关功率密度。所有三项措施结合起来,就可以使大面积IGCT安全工作区(SOA)的改进超过30%。
简介：VishayIntertechnology。Inc．推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOS—FET—VishaySiliconixSi8445DB．该器件采用MICROFOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低的导通电阻。
简介：NEC电子（NECElectronics）和东芝日前宣布，它们将合作开发45纳米CMOS逻辑制造工艺。此外，这两家公司开始讨论全面结盟的可能性，把合作范围扩大至从设计和产品开发一直到产品制造。
具有改进安全工作区(SOA)的大面积IGCT
Vishay推出最小占位面积的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET
NEC和东芝将联手开发45纳米工艺 全面结盟可能性加大
