简介：本文介绍了PPE树脂的改性途径及方法，PPE/玻纤布覆铜板的制作工艺，低介电常数（LGC-O46）和高介电常数两种类型的PPE/玻纤布基覆铜板的性能以及PPE/玻纤布基覆铜板的应用领域、国内外情况和发展方向。

简介：简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。

简介：“在工厂制造方面,利德华福拥有二十年的生产制造经验,同时施耐德电气作为世界500强企业,二者强强联合,共同致力于打造敏捷的高压变频器智造中心。”在利德华福2018客户大会暨二十周年庆典上,利德华福工厂总监孙茂宽先生以精益生产为主题发表了演讲。

简介：

简介：为了集成电路的低成本和高性能设计，文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺，给出了微波无线通讯系统的集成方案，从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题，同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

简介：近几年来，印刷电路板的技术发展并无重大的突破，仅有应用领域的延伸，而经历过这一波金融风暴过后，台系PCB厂展现出绝佳的竞争力。迎接接下来的景气复口，未来PCB硬板市场的潜力产品将会锁定LED照明领域，同时HDI（高密度连结基板）的新兴应用以及利基性市场都值得期待。

简介：研究了掺CoO、Nb2O5、La2O3的SnO2基压敏陶瓷，用阻抗相角图表明了阻抗数据，结果表明，在所测的压敏陶瓷中，其晶粒边界处有不同的缺陷。主要的载流子是O′和O″。LaSn′的作用是促进O′和O″缺陷的形成，它对在晶粒边界区接触面处势垒的形成起了决定性作用。

简介：“该军用技术规范已获准用于国防部各部门和机构中。”

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：一、目前废水回收利用百益无一害，利国利民利己，但是如果设计不专业，不把来水的水质弄清楚，设计出来的废水处理设备是不实用的。最後结果劳民伤财，处理成本让业主不能接受。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。