简介：近年来随着电子设备的小型轻量化和高性能化，高密度封装的半导体器件等正在飞速地发展成多针化和窄间距化(见图1)，为此，要求小型轻量化和高密度细线化的印制电路板与此要相适应，方能满足半导体器件高精度封装技术要求。于是在90年代初期，松下电子部品(株)研制和开发出新型的积层式多层板，并实现产量化。并与96年实现全层积层构造(全层IVH构造)的树脂多层印制电板，

简介：3．2．4射流喷砂法制造积层多层板工艺射流喷砂加工技术，在电镀、喷漆的行业中，早已得到广泛的应用，它能最有效地将工件表面生成的氧化层、锈斑、熔渣等污物除去，并使工件表面组织形成了适宜的粗糙度，从而有利于涂（镀）覆层与工件表面的结合力。而在积层多层板的制造中，利用射流喷砂加工微孔技术，是近几年发展起来的新工艺。

简介：

简介：简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。

简介：据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nmHe（高性能）制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nmLP（低功耗）制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次半导体产业论坛会议上透露这些信息的。

简介：为了集成电路的低成本和高性能设计，文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺，给出了微波无线通讯系统的集成方案，从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题，同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

简介：中国台湾领先的半导体代工制造商台积电计划投入巨资在台中建立下一代300mm晶圆工厂。

简介：介绍PLC在炼油厂常减压装置常压加热炉除灰系统中的应用，针对常压炉的工艺特点，着重介绍PLC控制系统硬件和软件设计。该系统实现了除灰过程的自动控制，具有高可靠性，操作简便等特点，系统投运后运行良好，不但提高了加热炉的热效率，确保了装置的平稳生产，而且为企业带来了可观的经济效益。

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：潮湿的空气中弥漫着田野的气息和浓浓的土腥味，屋外的雨“哗哗”地下着，似乎不会停歇，苏北的夏天就在这充盈着水汽的氛围中慢慢拉开了序幕……。屋内，一位青年坐在书桌旁，桌上厚摞的书籍已陪伴他几载春秋，自高中毕业插队至大丰县已是第四个年头，每个夜晚，他都会在这昏暗的油灯下翻看这些书。下月就要高考了，从繁华的江南城市到这闭塞的农村，这一刻的到来他已期待了许久。目标早已在心中默念了千万遍，他就像一位老练的猎手，没有十分的胜算，不会轻易出手。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。