简介:近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
简介:分析了用AT45DB161B存储数据的特点和容量,给出了采用ATMEL的串行DataflashAT45DB161B来存储行驶数据的行驶记录仪的设计方法.同时给出了W77E58和AT45DB161B的接口电路和程序代码。试验表明,采用AT45DB161B来存储数据的行驶记录仪具有体积小、容量大、功耗低、硬件接口简单、抗干扰能力强,容量扩展简单的优点。