简介：参加教师培训，主讲老师提到了用“推极思考”法解某些特殊题目的问题，比如下面这个例子．

简介：一、分子世界1．物质是由大量分子组成的，分子间有空隙．分子的体积和质量都非常小，设想把水分子放大到乒乓球那样大，则按照同样比例放大的乒乓球，将和地球的大小差不多．正因为这样，一般物体中分子数目都是大得惊人的，例如，把1g酒精倒入盛有1×10^10m^3。水的水库中，酒精分子均匀分布在水中以后，1cm^3水中的酒精分子数仍在100万个以上．

简介：激光二极管由于体积小、重量轻、转换效率高、容易实现光纤传输等优点，已经广泛应用于军事、科研、工业等各个领域。由于激光二极管是一种具有极高量子效率的器件，微小的电流变化将导致光功率输出的极大变化和器件参数（如波长、噪声性能、模式跳动等）的变化，这些变化直接影响激光器件的安全工作和应用要求。激光点火系统需要激光二极管以脉冲方式工作。因此，需要设计出恒流特性稳定、脉宽控制准确、抗干扰能力强，并具有防过冲、反冲和浪涌的保护电路的驱动电源，以保证激光器稳定工作、性能可靠和使用寿命长。

简介：韩国研究人员发现，经过精心设计的白光发光二极管有助于优化个人的生理节律。韩国国民大学JiHyeOh及其同事研究了四组白光LED，其中包括荧光粉转换型红光LED、黄橙光LED、绿光LED和蓝光LED，以及一个长波长粉色镜。他们把这些装置与各种传统形式的照明装置做比较，发现这四组LED设计的照明效率高，

简介：本文提出用伏安法测绘二极管伏安特性曲线的一种电路新接法，用该接法测量时，不需修正即可完全消除电表内阻的影响。

简介：许多人都了解RADAR的概念一无线电探测和测距（Ra—dioDetectionandRanging），该技术通过发射无线电频率波在大气层传输，接触目标后反射回到系统进行处理，从而得出目标距离。近年来，电子扫描阵列使这一技术发生了革命性转变，可将无线电波以特定方向传输，无需机械移动。

简介：研究基于甲酸助焊剂的高功率激光二极管焊接工艺。高功率激光二极管芯片在工作时会产生大量的热，如果不及时散掉，会严重影响芯片的使用寿命，严重时直接烧毁芯片。因此需要将芯片的发热面，即P面与热沉焊接在一起，理想状态是100％的接触，这样热量就可以完全通过接触面被带走。

简介：从光电二极管的工作原理出发,对硅光电二极管的光谱响应度进行了论述。分析表明,入射光子的能量、材料的禁带宽度和吸收系数是光谱响应曲线具有波长选择性的主要原因。

简介：为探索新的高能激光体系，采用激光二极管作为泵浦光源，单侧泵浦掺钕离子的无机激光液体，进行了出光实验研究。该无机液体激光系统采用高性能的二极管激光器作为泵浦源，具有以下的优点：泵浦源与介质吸收谱的耦合效率高、循环流动可以避免热量累积、液体介质不会像晶体一样存在热致双折射和容易断裂等。

简介：针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。

简介：对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。

简介：介绍了一种加热去除阳极吸附气体的方法，并利用热传导方程对阳极加热过程进行了理论计算和分析。计算结果表明，要达到有效加热“强光一号”装置使用的阳极钽靶，电流幅值需为2～3．2kA，相应加热时间需为11～4S。

简介：二极管泵浦高平均功率固体激光器在工业、科研和军事等领域具有非常广泛的应用。光学泵浦将在固体激光介质里产生废热并引起介质温度升高。激光器的连续运转要求实时冷却以消除废热。由于固体激光介质的热导率通常较低，因此在激光介质内部和冷却表面之间将产生显著的温度梯度，这就导致了折射率梯度、机械应力和退偏等效应，进而降低光束质量，减小输出功率，甚至造成介质的断裂。这些效应是固体激光器向高平均功率定标的最大挑战。采用薄片激光介质是解决这一问题的有效手段之一。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：利用发光二极管（LED）光色电综合测试系统测量不同颜色不同功率的LED在多个电流下的光谱，提出并构建了由多个高斯函数组成的LED光谱模型，并根据各颜色LED在额定电流下的光谱计算模型中的系数，最后将该模型与已报道的模型进行了对比。研究表明：对于光谱有n（n≥1）个波峰的LED，可用3n个高斯函数形式的模型来表示，大功率红、黄、蓝、绿、白色LED模型与实测光谱之间平均误差分别为3．45％、1．01％、2．33％、4．65％、2．49％，小功率LED的平均误差分别为2．61％、2．65％、3．77％、2．87％、2．48％。与已报道的模型相比，该模型精度高，普适性好。本研究对LED光度色度测量仪器的研制及智能化LED产品的设计具有重要意义。

简介：本文通过对伏安法测二极管特性实验中一个特殊现象的分析,提出了环境电磁波对实验的影响;通过对实验现象的深入分析,能够提高学生观察问题和分析解决问题的能力.

简介：热容激光器与常规的高功率固体激光器的本质区别是激光介质的热管理方式不同，常规高功率固体激光器是边工作边冷却，而热容式激光器采用了工作时间和冷却时间相分离的热管理模式。因此热容激光器不再受介质断裂极限限制，可提高平均输出功率，同时由于工作时介质内部不存在显著的温差、热应力，可有效减小光程畸变提高光束质量。

简介：通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔区结构对无箔二极管I-Ⅴ特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律.研究发现,当阴阳极间距大于0时,无箔二极管的结构影响因子随着阳极腔区半径的增大而减小并逐渐趋于稳定,且对于较小的阴极外半径、较大的漂移管半径、较大的阴阳极间距,达到稳定后的结构影响因子越小,并给出了结构影响因子的可调节范围.在TPG700脉冲驱动源上开展了初步实验研究,对实验中的回流电子束进行数值模拟分析并去除其影响以后,实验结果很好地符合了理论分析结论.

简介：对制造的单mesa终端4H-SiCPIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiCPIN二极管正向直流特性的影响。详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算。对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好。研究表明,实际制造的4H-SiCPIN二极管在直流开态下,存在迁移率的各向异性效应。

简介：针对现有发光二极管（LED）汽车后转向灯存在的配光性能不准确、能量利用率低等问题，设计了一款准直配光一体化的LED后转向灯透镜。该透镜根据非成像光学原理和斯涅尔定理，通过迭代求解的方法设计而成，其高度为8．32mm，直径为12．64mm。利用光学软件TracePro对实际光源和后转向灯透镜进行光线追迹模拟，结果表明：在z方向4-80°，Y方向4-80。的矩形区间，发光强度均大于1．6cd；在x方向±20°，Y方向±10°内发光强度呈近似矩形分布，且各测试点结果均满足GB17905-2008要求。该透镜可精确控制LED发出光线，有利于提高配光性能及能量利用率。