简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：生产中遇到许多易变形弹性薄片零件，如常见的垫圈、摩擦片、特别的碟性弹簧，薄板、飞片等，它们刚性差、散热困难、装夹时易引起装夹变形，加工时会出现翘曲，严重影响零件的加工精度。对这类零件的精密加工技术进行研究，对减少工件的热处理变形及装夹变形，减少变形工作对零件最终形成精度的影响，从而保证弹性薄片类零件的加工精度具有至关重要的意义。提高零件精加工前的精度以及减少零件装夹变形和减小切削力是提高零件加工精度的重要措施。对于力学性能要求较高的工件，一般都需要进行热处理，以提高工件的综合力学性能。

简介：TH7032005031635MOCVD-Ga0.4In0.6As0.85P0.15／InP分布布喇格反射镜的反射率=ReflectivityofMOCVD-Ga0.4In0．6AS0．85P0．15／InPdistributedBraggreflectors[刊,中]／蒋红(中科院长春光机所激发态物理重点实验室．吉林,长春(130033)),金亿鑫…∥发光学报．-2004,25(6)．-686-690采用MOCVD方法,获得高质量的InP和较高质量的GaxIn1-xAsyP1-y外延层,通过GaxIn1-xAsyP1-y／InP交替生长制备出在工作波长为1．55μm时具有较高反射率的分布布喇格反射镜。根据光在多层介质膜中传播的传递

简介：爆炸逻辑网络是用炸药非常规爆轰特性实现的传爆序列，它由多个爆炸逻辑单元（逻辑零门、与门和破坏性交叉通路）组成，主要运用在定向战斗部等常规武器系统中，起引爆控制作用。2005年，研制出爆炸逻辑零门（设计参数间隙L为0．3～2．1）、破坏性交叉通路（设计参数夹角动35°～60°）。但是作为应用技术，爆炸逻辑网络的可靠性关系到整个武器系统可靠性，关系到武器能否准确打击预定目标。

简介：从误差的角度分析了灵敏电流计特性研究实验中,造成测得电流计内阻为负值的原因,并给出解决问题的办法。

简介：柴油机零部件在检修前的清洗过程是非常重要的，可以应用多种物理方法，但需要的设备不同，结果也不一样，本文对此进行了分析探讨。