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364 个结果
  • 简介:介绍了兆伏级有界波电磁脉冲脉)中源的组成及特点。通过数值模拟分析了模拟装置等效电路,给出了峰化电容及输出开关对装置输出波形的影响,总结了峰化单元的设计特点,提出了一种低气压、低电压短间隙放电等效高气压、高电压长间隙放电的方法。同时,基于等效方法设计了结构尺寸为1:1验证实验,实测了实验电路输出电场波形。实验结果表明,采用电容、开关、天线一体化的结构设计,能够最大限度地减小峰化回路的电感,输出双指数波上升沿可达到1.8ns。该实验为兆伏级有界波电磁脉冲峰化段的设计提供了参考。

  • 标签: 垂直极化 有界波模拟器 峰化单元 上升沿
  • 简介:为深入研究系统电磁脉冲(SGEMP)特性,通过蒙特卡罗程序MCNP计算并总结了发射电子能谱、θ方向角分布以及光电产额等发射电子参数的变化规律,给出了不同X射线黑体温度下表征射线能量的能谱参数E1。利用3维全电磁PIC程序对SGEMP进行模拟,并将模拟结果与用X射线黑体温度T近似代替能谱参数E1取值方式下的模拟结果进行了对比。结果表明,低能射线的能谱参数与黑体温度近似相等;而高能射线的能谱参数与黑体温度存在偏差,会导致SGEMP模拟计算的电磁场峰值产生偏差。

  • 标签: 系统电磁脉冲 电子能谱 MCNP 角分布
  • 简介:研究了一种高倍聚光、高均匀性太阳模拟,它主要由短弧氙灯、椭球聚光镜、高速快门和积分构成,辐射功率超过5kW,辐射峰值超过1800个太阳常数(标准AM1.5∶1太阳常数=1kW/m2)。介绍了该模拟的光学设计,主要工程特点和仿真结果。应用蒙特卡洛光线追迹技术优化几何配置,以使光源到目标面的辐射能量转换效率最大化。仿真结果显示:在直径20mm的圆形目标区域其平均辐射超过1000kW/m2,相应的辐照不均匀度小于6%。利用该装置模拟了高倍聚光太阳系统的辐射特性,为研究高效率太阳能电池的热化学过程和测试先进的高温材料提供了实验平台。

  • 标签: 太阳模拟器 高倍聚光 光学系统
  • 简介:采用全电磁粒子模拟方法和一维近似模型,考虑电磁脉冲场对康普顿电子运动的影响,数值模拟了早期高空核电磁脉冲产生的自洽过程。给出了理论模型和计算模型,选取了一个计算区域位于源区的算例,比对了自洽处理方法和非自洽处理方法的异同,给出了三个考察点上电场分量的时域波形。结果表明,自洽处理方法会使第1峰值电场强度稍有降低,但对第2和第3峰值电场强度影响不大;同时,自洽处理方法会使第1与第2峰值电场强度之间的时间间隔缩短,但对以后各个峰值电场强度之间的时间间隔影响不大。

  • 标签: 早期高空核电磁脉冲 全电磁粒子模拟方法 自洽
  • 简介:利用任意波形发生和功率放大器,提出了参数可变的超宽谱和窄谱模拟高功率微波脉冲产生方法,建立了模拟脉冲产生系统,产生的超宽谱模拟脉冲实现了谱形可控,谱参数和重复频率连续可调;窄谱模拟脉冲实现了脉冲前沿、宽度和重复频率连续可调。

  • 标签: 任意波形发生器 HPM 模拟脉冲 产生方法
  • 简介:简要介绍了强电磁脉冲环境及效应等方面的研究内容和进展状况,讨论了强电磁效应和评估与一般的电子战、电磁干扰、子系统之间的电磁兼容等之间的共同性和差异,并简要介绍了电磁防御的措施.

  • 标签: 高功率电磁脉冲 强电磁效应 电磁兼容 电磁易损性 评估
  • 简介:介绍了用于埋地电缆高空电磁脉冲(HEMP)响应计算的传输线模型,研究了地下透射HEMP环境与土壤电导率及透入深度的关系,计算了埋地1m的电缆端点在短路条件下的感应电流。结果表明:土壤电导率越大,透入深度越深,电场的衰减越大,电缆的感应电流越小;垂直极化波的感应电流在方位角为0°、入射角为45°时达到最大;水平极化波的感应电流在方位角为90°、入射角为90°时达到最大。

  • 标签: 高空电磁脉冲 埋地电缆 土壤电导率 感应电流 耦合
  • 简介:通过对数值计算的高空电磁脉冲(HEMP)波形函数拟合,确定了HEMP标准波形的函数形式。以标准电磁脉冲波形频谱的各频率分量最大值为原则,得到标准波形的幅度谱,利用希尔伯特变换,用频谱相位重建方法获得标准时域波形;最后以部分数据为例,对获得标准参数的频域方法进行了详细讨论。

  • 标签: 高空电磁脉冲 标准 希尔伯特变换 频域
  • 简介:基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置.设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动电路,分析了功率MOSFET器件的开关特性,并讨论了影响其工作速度及工作频率的因素.脉冲发生输出脉冲幅值最高可达-500V,前后沿时间均小于5ns.脉冲宽度和频率根据输入触发信号进行调节,触发延迟小于30ns,触发抖动小于500ps.

  • 标签: 脉冲发生器 高压脉冲 MOSFET 栅驱动
  • 简介:利用RLC双网孔电容耦合电路模拟出了电磁诱导透明现象,并讨论拉比频率改变以及失谐对探测光共振吸收的影响。另外,分析了该模拟实验与真实的电磁诱导透明量子现象的差别及原因。本工作有助于增强学生对电磁诱导透明量子现象的理解。

  • 标签: 电磁诱导透明 拉比频率 RLC耦合电路
  • 简介:以BJT型OP07号运算放大器为研究对象,建立了一套适合集成运算放大器电磁脉冲损伤效应实验的系统和方法。通过方波脉冲直接注入,研究了电磁脉冲对运算放大器的瞬态干扰和损伤。观察OP07运放的实时工作状态,捕获到增益减小、直流输出、输出信号Y向偏移和输出信号波形失真四种典型的现象。

  • 标签: 电磁脉冲 损伤效应 BJT 运算放大器
  • 简介:以“闪光二号”加速硬X射线为辐照源,对腔体内系统电磁脉冲(systemgeneratedelectromagneticpulse,SGEMP)磁场环境的验证方法进行了研究。根据测量的“闪光二号”二极管的电压、电流,模拟了发射电子束能谱参数;结合辐射靶物理设计,建立了二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,模拟了轫致辐射X射线场参数;采用时域有限差分(finitedifferencetimedomainmethod,FDTD)和粒子模拟(particleincell,PIC)方法,模拟了该射线环境中的腔体SGEMP磁场环境;将轫致辐射X射线参数及腔体SGEMP磁场环境的模拟结果与实验结果进行了比较。结果表明:从X射线源参数模拟开始的腔体内SGEMP数值模拟计算模型的实验验证方法是合理可行的。

  • 标签: 闪光二号 系统电磁脉冲 粒子输运 粒子模拟 验证
  • 简介:针对多态系统电磁脉冲易损性评估问题,提出了基于贝叶斯理论的多态系统电磁脉冲易损性概率置信下限估计方法。分别基于贝叶斯方法及经典统计方法,给出了多态系统电磁脉冲易损性概率置信下限及效应实验达到给定状态概率所需最小样本量的计算方法。通过算例,对文中提出的方法进行了验证和比较。在无信息先验条件下,贝叶斯方法与经典方法计算结果较为接近,概率置信下限和所需最小样本量的估计结果主要依赖于当前实验信息;当先验信息具有显著倾向时,若当前实验信息与先验信息一致,则基于贝叶斯方法计算的概率置信下限更加准确,且所需最小样本量明显少于经典统计方法的计算结果。

  • 标签: 贝叶斯方法 多态系统 易损性 概率置信下限
  • 简介:分析了衰减透射法测量脉冲γ射线能谱的原理,理论模拟了衰减透射法能谱探测过程,使用期望最大法对模拟结果进行了能谱重建,分析了重建初始谱及测量噪声对解谱结果的影响。结果表明,期望最大法能较好地解出基于衰减透射数据的脉冲γ能谱;测量噪声水平在1%以内,算法具有较强的鲁棒性。

  • 标签: 期望最大法 脉冲γ射线 能谱重建
  • 简介:基于计算机串口通信和功率型金属氧化物半导体场效应晶体管,设计研制了程控产生单次快前沿负高压脉冲的信号发生。其性能指标为高压脉冲幅度一100~-1000V,脉冲宽度40ns~2μs,脉冲前沿随脉冲幅度和宽度变化,可小于30ns,输出负载为50Ω作为一种模拟源,该高压脉冲信号发生已用于小功率气体放电管的高压保护特性实验研究中。

  • 标签: 高压脉冲发生器 触发控制 功率型金属氧化物半导体场效应晶体管 串口通信
  • 简介:利用5V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及8路3级驱动电路,逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号,再经过次级驱动电路,提升为8路中高压驱动信号,加速输出级开关,产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生工作电源电压为12V,输出电压为50~-200V,输出脉冲前后沿均为1.5ns,输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节,可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时,最大重频为3.3MHz,固有延迟为50ns,触发晃动小于0.2ns,体积为86mm×43mm×23mm。

  • 标签: 像增强器 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 阴极门控发生器
  • 简介:为了分析电流型CdZnTe(CZT)探测脉冲线性,利用CZT探测测量得到了脉冲宽度为50ns的脉冲X射线响应曲线,采用波形时间积分法分析了其线性特性。结果表明,以波形时间积分为测量目标量,当X射线照射量在0.160-0.826mR范围时,在10%的不确定度范围内,样品探测可作为线性测量系统的探测器件;以幅值为测量目标量,工作电压为400V时,在5%的不确定度范围内,样品探测可作为线性测量系统的探测器件。

  • 标签: CDZNTE 脉冲X射线 波形时间积分 线性特性 幅值特性
  • 简介:阐述了20kV固态Marx脉冲调制的设计原理、结构特点及驱动控制方法。该系统由8级模块串联而成,每级模块的储能电容、高压充电和固态开关驱动供电均采用高压硅堆隔离,Marx模块采用两只独立控制的高压绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartran-Sstor,IGBT)对模块的储能电容实现充电和放电。IGBT驱动电路采用高压硅堆隔离供电、光纤传输触发脉冲和高性能IGBT驱动模块TD350设计构成。驱动电路具备完善的欠压、过流和过压保护功能。Marx模块采用插拔式结构,维护快捷简便。脉冲源在无强化散热措施条件下,输出方形高压脉冲幅度大于20kV,脉冲宽度为10ps,脉冲前后沿均为300ns,重复频率可达1kHz。

  • 标签: 脉冲调制 固态Marx 高压硅堆 同步触发 脉冲截尾
  • 简介:为提高太赫兹脉冲的功率测量精度,基于n型硅在强电场下的热电子效应,研制了一种采用过模结构的0.14THz脉冲功率探测.该探测由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10、n型硅探测芯片和偏置恒流源组成.首先介绍了探测的结构及工作原理,给出了相对灵敏度表达式,分析表明过模探测能在TE1o模式下很好地工作.然后结合国内工艺水平,根据模拟计算结果设计了探测芯片的结构参数,完成了探测芯片的加工和探测的制作.最后,利用该探测对0.14THz相对论表面波振荡的辐射场进行了验证性测量,并与二极管检波的测量结果进行了对比分析.结果表明,过模探测的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12kW-1,最大承受功率至少为数十瓦,可用于0.14THz高功率脉冲的直接探测.

  • 标签: 高功率太赫兹脉冲 过模 探测器 功率 热电子
  • 简介:介绍了一种新型总β测量闪烁探测的原理与结构,对闪烁探测输出回路脉冲计算公式及其极值进行了推导,利用MATLAB强大的数值计算功能讨论了闪烁探测输出回路脉冲形状与回路RC时间常数的关系。并初步提出信号甄别的方法。

  • 标签: 闪烁探测器 输出电流脉冲形状 脉冲甄别 RC时间常数