简介：为了研究厚壁椭圆形封头热拉伸成形，采用有限元模拟，分析其变形规律，根据模拟结果，设计坯料直径及模具尺寸，并进行对比试验，验证模拟结果的准确性。分别采用了经验公式Do=K（（Dp＋t）＋h＋5％Dp=534及等体积法D0=（V×4／πt）^1/2=524（体积V由AutoCAD三维模型求得）计算坯料尺寸，获得了不同的坯料直径。

简介：为了研究奥氏体钢作为中国聚变工程实验堆第一壁候选结构材料时的蠕变寿命,利用有限元方法和Larson-Miller蠕变寿命外推模型,结合奥氏体钢的辐照后蠕变断裂实验数据,探讨了热流密度、壁厚和冷却剂入口温度等参数对蠕变寿命的影响,分析比较了AISI316、冷加工AISI316及含Ti冷加工15-15Ti的辐照后蠕变性能。结果表明：奥氏体钢的辐照后蠕变寿命随热流密度、壁厚和冷却剂入口温度的增大而减小;冷加工处理并没有提升奥氏体钢的辐照后蠕变寿命,而含Ti冷加工15-15Ti具有较优异的辐照后蠕变性能。

简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.