简介:TH7032005031635MOCVD-Ga0.4In0.6As0.85P0.15/InP分布布喇格反射镜的反射率=ReflectivityofMOCVD-Ga0.4In0.6AS0.85P0.15/InPdistributedBraggreflectors[刊,中]/蒋红(中科院长春光机所激发态物理重点实验室.吉林,长春(130033)),金亿鑫…∥发光学报.-2004,25(6).-686-690采用MOCVD方法,获得高质量的InP和较高质量的GaxIn1-xAsyP1-y外延层,通过GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长制备出在工作波长为1.55μm时具有较高反射率的分布布喇格反射镜。根据光在多层介质膜中传播的传递
简介:目的:探究错距旋压仿真模型关键特性参数影响,改进建模方法,克服现有模型方案的缺陷,构建更准确、可靠和稳定的错距旋压有限元仿真模型。创新点:1.提供包括全模型、六面体离散、速度边界、全仿真、双精度和无干涉模型等在内的改进有限元模型构建方法;2.基于所构建的改进模型,完善错距值对成型过程影响的现有结论。方法1.通过能量、网格独立性和过程参数分析,验证改进有限元模型的可行性和可靠性:2.通过对比仿真和数据分析,获得边界模式、精度模式、时间截断和错距干涉对仿真结果的影响;3.通过仿真模拟,完善现有受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的错距值研究成果。结论:1.速度边界模式较之位移边界模式具有更高的计算精度和效率;2.时间截断不能确保扶取稳态结果,不利于计算的准确性和稳定性;3.截断误差对错距旋压成型结果影响显著,计算过程中应采用双精度模式;4.错距干涉严重干扰计算的正确性和可靠性,应在实验设计阶段予以排除:5.针对现有错距值研究受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的现状,基于改进模型,完善错距影响结论(表11)。