简介：Usingbi-spinorfieldswewritethepseudo-scalarandbi-spinorfieldsthatarecharacterizedbythefieldfunctionsofcoordinatesofseveralparticles,namelymulti-particlefields.Byapplyingthequantizationproceduretothesemulti-particlefields,hadroniccreationandannihilationoperatorshavebeenobtained.

简介：Thebeamof35MeV/u~(40)ArwasdeliveredbyHIRFL(HeavyIonResearchFacilityatLanzhou).Atargetof674μg/cm~(2197)Auwasusedintheexperiment.Theexperimentwasmadeattheterminaloflargecylindeicalscatteringchamber,inwhichsixtelescopesareusedtomeasurechargedparticlesemittedintherearandmiddle

简介：Ｏｐｅｒａｔｉｏｎｏｆ２００ｋＶＨｅａｖｙＩｏｎＡｃｃｅｌｅｒａｔｏｒ￥ＺｈａｏＬｉｍｉｎ；ＷａｎｇＪｉｎｇｙａｎ；ＦｕＢａｏｊｉｎａｎｄＸｉａｏＲｏｎｇｑｉｎｇＩｎ１９９６２００ｋＶｈｅａｖｙｉｏｎａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒｗａｓｏｐｅｒａｔｅｄｆｏｒ...

简介：采用环境氢脆技术及现代材料微观分析技术，研究了Fe-35Ni-15Cr实验合金在室温至900℃的力学性能及热充氢后在室温及750℃的力学性能，分析了温度对材料微观组织的影响，为优化其化学成分、热处理工艺等提供技术依据。

简介：ＩｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆＲａｄｉｏｌｏｇｉｃａｌＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎａｔ６００ｋＶＣｏｃｋｒｏｆｔ－ＷａｌｔｏｎＧｅｎｅｒａｔｏｒ￥ＺｈｅｎｇＨｕａｚｈｉ；ＺｈｕＨｏｎｇｂｉｎ；ＷａｎｇＧｕｉｌｉｎｇ；ＬｉＺｏｎｇｑｉａｎｇ；ＳｏｎｇＷｅｎＪｉｅ；...

简介：Inrecentyears,heavyionbeamshavebeenrecognizedasaneffectiveandefficientphysicalmutagenduetotheircapacitytoinducemutationswithhighfrequencyandbroadspectrum.Nowadays,itisnotsodifficulttoproducevariousmutantsinplants.However,tominetheresponsiblemutatedgeneshasbeenanimportantchallenge.Formutationisolation,map-basedcloningisoneofthemajortraditionalwaystoisolatethemutantgenesthatcontroltraitsofinterestinforwardgeneticsstudies.However,theprocessofmap-basedcloningisusuallycomplicatedandtime-consuming.

简介：由于科研生产的需要要求设计-1kV可调脉动直流电源。按照使用要求，输入电源为交流220V，输出为0～1kV可调脉动（脉动频率为100Hz）直流输出，输出功率500W，初步制定了3套设计方案。方案1：采用可控硅调压经变压器升压后整流，此方案制作简单成本低，但当可控硅处于半导通状态时会产生高次谐波污染电源，且要求整流元件的耐压值要高；方案2：采用开关电源，此方案制作成本较高，且需要大功率开关管；方案3：采用自耦调压器调压后整流，此方案输出波形无畸变，对电源无污染。

简介：阐述了20kV固态Marx脉冲调制器的设计原理、结构特点及驱动控制方法。该系统由8级模块串联而成，每级模块的储能电容、高压充电和固态开关驱动供电均采用高压硅堆隔离，Marx模块采用两只独立控制的高压绝缘栅双极型晶体管（insulatedgatebipolartran-Sstor，IGBT)对模块的储能电容实现充电和放电。IGBT驱动电路采用高压硅堆隔离供电、光纤传输触发脉冲和高性能IGBT驱动模块TD350设计构成。驱动电路具备完善的欠压、过流和过压保护功能。Marx模块采用插拔式结构，维护快捷简便。脉冲源在无强化散热措施条件下，输出方形高压脉冲幅度大于20kV，脉冲宽度为10ps，脉冲前后沿均为300ns，重复频率可达1kHz。

简介：高电压技术与脉冲功率技术、激光技术、加速器和高能物理等技术密切相关，为保证高电压领域量值的准确统一并适应冲击高电压研究和冲击耐压试验的发展需求，计量测试中心在已建有200kV直流高电压和100kv工频高电压标准装置的基础上，于2006年又组建了500kV冲击高电压校准系统。

简介：

简介：MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强，也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此，在研制过程中，解决了用多个场效应管串、并联组合，形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关；用多个脉冲变压器并联，对大电流开关输出的信号进行放大和成形；用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术，采用稳定的开关器件等技术和工艺，解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管，替代国外氢闸流管部分用途的功能。

简介：Fourkeyreactions,12C(,)13O,13C(,n)16O,25Mg(p,)26Aland19F(p,)16O,willbestudiedforthefirsttimewithinorneartheastrophysicalrelevantenergyregions(Gamowwindow)atJinpingUndergroundlaboratoryforNuclearAstrophysics(JUNA)[1],whichwilltaketheadvantageoftheultra-lowbackgroundofChinaJinPingundergroundLaboratory(CJPL),highcurrentacceleratorbasedonECRsourceandahighlysensitivedetectionsystem.