简介：O482.3199053393Ga1-xAl-xAs外延片有源区Al组份的测定方法=MeasurablemethodofaluminiumcompositeofGa1-xAlxAsepitaxialmaterialwithinactiveregion[刊,中]/刘学彦（中科院长春物理所.吉林,长春（130021））//发光学报.—1998,19（4）.—361—363利用电致发光测得Ga1-xAlxAs外延片有源区发射光谱,并通过公式计算得出有源区Al组份值。图4表1参3（常唯）O72299053394半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量=BondmethodmeasurementofstoichiometryinSi—GaAsbulkmaterialbydouble

简介：O722002032276X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层=StudyofsemiconductorsuperthinheterostructureswithsynchrotronradiationX-raystandingwavetech-nique[刊,中]/姜晓明,贾全杰,胡天斗,黄宇营,郑文莉,何伟,冼鼎昌(中科院高能物理所.北京(100039)),施斌,蒋最敏,王迅(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(6).-588-594利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。图5参9(李瑞琴)

简介：本文介绍一种晶体旋转干涉法测试液晶双折射的实验方法。

简介：O72398010608Hg1-xCdxTe晶体密度和组分的关系=StudyoftherelationshipbetweenHg1-xCdxTecrystaldensityandingredient[刊,中]/蔡毅（昆明物理研究所.云南,昆明（650223））//红外与激光工程.—1997,26（3）.—23—26根据Hg1-xCd—xTe晶体结构、组分和点阵常数的关系,导出Hg1-xCdxTe晶体密度和组分的关系式。讨论了温度对晶体密度的影响,与参考文献中的密度公式进行了比较。图2表1参10（严兰）

简介：O73196021325Bi2Sr2CuOy单晶正常态的电子输运=NormalstatetransportpropertiesofBi2Sr2CuOycrystals[刊,中]/王楠林,潘国强,邓明,种燕,阮可青（中国科技大学物理系。安徽,合肥（230026））∥物理学报。一1995,44（1）。—128—132测量了不同Bi2Sr2CuOy单晶样品ab平面内电阻

简介：设计了一种测量液晶盒视角的实验装置,通过固定的水平角度和竖直角度扭曲向列相液晶盒光透过率的测量,得到了视角-对比度曲线。不同的水平和竖直视角,其对比度也是不同的。无论竖直视角的大小,水平视角为0°时对比度最大;当对比度大于某一数值（例如50）时,随着竖直视角从20°增加到20°,水平视角的范围先增大后减小。