简介:以廉价的工业级高模数比硅酸钠(Na2O·3.3SiO2)为硅源,以溴化十六烷基三甲基铵(CTAB)为模板剂,通过添加有机胺进行二次水热后处理,制备了掺杂V的介孔硅基分子筛。采用了XRD、SEM和低温液氮吸附脱附分析进行表征。实验结果表明,在不同的有机胺溶液和后处理温度下,样品的扩孔效果差异显著,其中,以三乙胺(TEA)和N-N二甲基十二烷基胺(DMDA)在高温水热处理下的扩孔效果最优。TEA的加入能调变V-MCM-41分子筛的孔径从3.94nm扩孔到9.30nm,增加2.36倍,而DMDA的加入能将孔径从3.94nm扩孔到6.62nm,增加68%。
简介:根据固体和分子经验电子理论(EET理论),分别计算了静压法和爆炸法合成金刚石过程中石墨和金刚石的价电子结构,获得了超高温高压下石墨和金刚石12组不同组合晶面间的价电子密度,结果表明,采用静压法合成金刚石.石墨/金刚石晶面的电子密度差均大于10%,说明其晶面的价电子结构差异太大,不能诱发石墨向金刚石的直接转变。而采用爆炸法合成金刚石,石墨结构理论键距和实验键距差是0.1073nm,明显大于稳定的价电子结构键距差的最大值(0.005nm),因此,爆炸法条件下,石墨的价电子结构不稳定,主要因为超高温高压下,石墨先分解出亚稳相后再转变成金刚石结构。