简介:关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场:2003~2008”预测:该市场到2008年将增长54%。2002~2003年间的增长率为43%。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者,2003年占整个市场的43%,该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33%。亚太地区的市场增长最快,但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。
简介:应用市场信息公司(AppliedMarketInformationLtd.)近日指出,根据目前正在进行的新厂投资情况,未来两年全球碳纳米管生产能力将翻两番。
简介:
简介:日本东北大学开发出作为读取记录容量为5TB级超高密度硬盘(HDD)信息的磁头元件的垂直平面电流模式巨磁阻元件(CPP—GMR)。由于元件的强磁性膜使用的是被称为半金属霍伊斯勒合金的材料,因此获得的与信息读取灵敏度(输出信号大小)相关的磁阻(MR)比在70%以上,比迄今为止CPP—GMR领域所发表的值提高了近一倍。
简介:制备了双酚A型苯并噁嗪(BZ)/不完全笼型苯基三羟基七聚倍半硅氧烷((C6H5)7SiO9(OH)3(T7POSS))杂化树脂,并对其固化行为、固化所得复合材料的热性能和动态力学性能进行了表征,差示量热扫描仪(DSC)测试表明,T7POSS能显著降低体系的起始固化温度;动态粘弹分析仪(DMA)、热重分析仪(TGA)测试表明。T7POSS提高了体系的储能模量、玻璃化转变温度Tg和热稳定性。
简介:重庆,是与武汉,南京齐名“三大火炉”之一。八月,又是“火炉”里的最热时段。但炎热隔阻不了战友情,酷暑减退不了事业心,为把《六届会》的事办好,中南大学化学电源与材料研究所所长,中国仪表功能材料学会理事唐有根教授、四川大学先进材料成型与模具技术四川省重点实验室主任李宁教授不顾路途遥远,
半绝缘GaAs晶片市场
未来两年全球碳纳米管产能将翻两番
不使用氯氟烃生产带有金属嵌入物的半刚性聚氨酯泡沫
日本东北大学将半金属霍伊斯勒合金用于巨磁阻元件的强磁性膜
聚苯并噁嗪/不完全笼型倍半硅氧烷复合材料的性能研究
聚首畅述战友情,齐心办好《六届会》——中南大学唐有根教授、四川大学李宁教授抵学会秘书处访问