简介:关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场:2003~2008”预测:该市场到2008年将增长54%。2002~2003年间的增长率为43%。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者,2003年占整个市场的43%,该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33%。亚太地区的市场增长最快,但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。
简介:
简介:日本东北大学开发出作为读取记录容量为5TB级超高密度硬盘(HDD)信息的磁头元件的垂直平面电流模式巨磁阻元件(CPP—GMR)。由于元件的强磁性膜使用的是被称为半金属霍伊斯勒合金的材料,因此获得的与信息读取灵敏度(输出信号大小)相关的磁阻(MR)比在70%以上,比迄今为止CPP—GMR领域所发表的值提高了近一倍。
简介:制备了双酚A型苯并噁嗪(BZ)/不完全笼型苯基三羟基七聚倍半硅氧烷((C6H5)7SiO9(OH)3(T7POSS))杂化树脂,并对其固化行为、固化所得复合材料的热性能和动态力学性能进行了表征,差示量热扫描仪(DSC)测试表明,T7POSS能显著降低体系的起始固化温度;动态粘弹分析仪(DMA)、热重分析仪(TGA)测试表明。T7POSS提高了体系的储能模量、玻璃化转变温度Tg和热稳定性。
半绝缘GaAs晶片市场
不使用氯氟烃生产带有金属嵌入物的半刚性聚氨酯泡沫
日本东北大学将半金属霍伊斯勒合金用于巨磁阻元件的强磁性膜
聚苯并噁嗪/不完全笼型倍半硅氧烷复合材料的性能研究