简介：使用低温光致发光研究（NH4）2S处理后的砷化镓（GaAs）表面的光学和化学特性，通过扫描光致发光光谱（PLmapping）和原子力显微镜（AFM）的测试结果可以确定，（NH4）2S处理GaAs表面可有效去除表面的氧化层（NH4）2S钝化后的样品的光致发光强度高于未经钝化的样品，且表面均匀性更好。该方法为Ⅲ—Ⅴ化合物半导体材料在高速和光电设备的应用提供了有效的钝化方法。
通过湿法化学方法钝化GaAs表面及其光谱特性研究
