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  • 简介:Ⅲ族氮化物半导体材料AlN单晶可应用于蓝色、紫外发光元件和耐高压、高频元件,作为宽带隙化合物半导体材料在市场潜力巨大的蓝色、紫外和白色LED和耐高压、高频电源IC等方面应用前景非常好。

  • 标签: ALN 单晶 化合物半导体材料 质量 开发 日本
  • 简介:尊敬的涂铭旌院士,李鹤林院士、赵连城院士、都有为院士、高唯院士(新西兰)、何知礼院士;尊敬的韩邦彦老领导(四川省原副省长);各位领导、各位专家、各位来宾:大家上午好.在全国上下深入学习贯彻党的十九大精神之际,微纳米材料与先进制造国际学术会议在重庆文理学院隆重召开,非常高兴和大家相聚在重庆永川,相聚在重庆文理学院。在此,我和市政府副秘书长以及相关部门的同志共同向大会召开表示热烈

  • 标签: 先进制造 制造国际 副主席陈贵云