简介：Ⅲ族氮化物半导体材料AlN单晶可应用于蓝色、紫外发光元件和耐高压、高频元件，作为宽带隙化合物半导体材料在市场潜力巨大的蓝色、紫外和白色LED和耐高压、高频电源IC等方面应用前景非常好。
简介：采用新颖的碳热还原和氮化前驱体法制备Ti（C，N）晶须，通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）对样品表征分析，结果表明，在1250℃条件下，产物主要相成分是Ti（C，N）晶须，含有少量的Ni和TiN成分，晶须直径为100～200nm，反应温度低于1250℃时，钛的氧化物还原不充分，而过高的温度也不能促进Ti（C，N）纳米晶须的形成。
日本藤仓公司开发高质量AlN单晶
前驱体法制备Ti（C，N）晶须
