简介：采用量子力学的微扰理论,对GaN基量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

简介：利用非线性偏振旋转锁模掺铒光纤激光器和1100m长的掺锗硅基高非线性光纤制作了超连续光源，获得了从1150～1750nm的超宽带输出光谱，其中1150～1350nm波段光谱起伏小于3dB，1600～1700nm波段平坦度优于1dB，并有很好的向长波延展空间。光谱展宽的机理为孤子分裂与受激拉曼散射，而四波混频使光谱进一步展宽。

简介：去除图像中的椒盐噪声可转化为二维曲面的重建问题。选用Multi-Quadric函数对图像中损失的信息构造插值格式，自动选择待插值点和插值参考点并求解插值方程组得到处理后的图像。实验证明，本方法可以在很少破坏图像细节的情况下去除大部分甚至全部噪声，并且在噪声密度非常大的情况下仍然可以还原相当多的图像信息。对噪声密度为50％和90％的单色Lena图像进行处理，该方法得到的信噪比比自适应中值滤波高6dB以上。

简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：采用真空蒸镀与化学镀两种方法制备GaN基发光二极管（LED）金电极,分析比较了两种工艺所得芯片成本、外观色差、打线拉力。结果表明,化学镀金可选择性还原欲沉积的金属于电极上,较之蒸镀整面金属,可大幅度节省金属成本,且操作简单易行。化学镀金法所制得金属层,较蒸镀法所制得金属层表面粗糙,可有效减少电极间的色差,且能提高打线或焊线的附着力。

简介：在法国国家科学研究中心（CNRS）2013年2月发布的《中法实验室生活——2012年科研合作总结特刊》中,法国驻武汉总领事馆科技处科技专员MarcBondiou先生撰文介绍了法中光电子学研究合作,概要如下：

简介：2010年11月6日，武汉光电国家实验室学术委员会召开了第一次会议。到会的学术委员会成员有周炳琨院士、王启明院士、王家骐院士、叶声华院士、朱中梁院士、吴培亨院士、沈绪榜院士、林尊琪院士、侯洵院士、龚旗煌教授等。武汉光电国家实验室理事会理事长李培根，主任叶朝辉，海外主任王中林，副主任姚建铨，常务副主任骆清铭等出席会议。实验室组建单位的代表中国科学院武汉物理与数学研究所书记詹明生、中船重工717所副所长鲍晓静、武汉邮科院张继军等也应邀出席会议。

简介：本刊讯移动多媒体业务要求高容量，高带宽，高质量的传输方式，而目前移动通信系统效率低、费用高，容量受限，难以满足移动多媒体巨量信息的传输需求。相关国际标准均存在高昂的专利许可费。为打破国外技术垄断，依托华中科技大学、武汉汉网高技术有限公司，由朱光喜、喻莉、刘文予、邱锦波、吴伟民、冯镔等人完成的“基于IP的宽带移动多媒体通信新技术”项目提出一种“基于统计复用的全IP包交换方式”，将独占信道变为多用户动态统计复用，并通过QoS机制和资源管理，有效提高传输效率和系统容量，获得2008年湖北省技术发明一等奖。

简介：

简介：本刊讯近年来，用光学方法处理微波和毫米波信号引起了广泛关注。相对于传统纯粹电学微波电路，微波光子学滤波器具有很多优点，比如低损耗、宽带宽、抗电磁干扰、可调谐以及重构性比较好等。它可以直接在光域里对微波或者毫米波信号进行处理，能够融合到光纤通讯系统和光学光纤网络中。