简介:在Al2O3(0001)衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长:在Al2O3(0001)衬底未经氮化或氮化不充分时,不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001)的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001)的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。
简介:采用程序升温氮化的方法制备了钼氮化物催化剂,并用EXAFS方法研究了氮化前后Mo原子的局域配位情况。负载MoO3样品的径向结构函数中有三个峰其中前两个峰对应着最近的Mo-O配位壳层,但是第一个峰与第二个峰的比例比晶体MoO3中的比例大很多,表明分子筛负载的MoO3具有更紧密的结构。氮化以后,Mo2N样品的径向结构函数中有三个峰,对应于一个Mo-N和两个Mo-Mo配位壳层,与面心立方模型符合的很好。根据X射线衍射和EXAFS谱的计算表明,Mo2N中的N原子使Mo-Mo键拉长并削弱。分子筛负载的Mo2N样品具有与非负载Mo2N样品相似的径向结构函数,只是对应于Mo-N壳层的峰较弱,表明负载的MoO3更难氮化。