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简介：同步辐射X射线（白光）微束激发晶态物质和非晶态物质时，其中晶态物质的衍射线将严重影响元素的X射线能谱分析，其最有效的解决办法是采用同步辐射单色光激发样品，或在样品与Si(Li)探测器之间入一准直器以消除衍射作用的影响。

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简介：利用同步辐射X光衍射技术，对（La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4）中存在的Jahn-Teller畸变，进行了原位的高压研究。实验表明在外加压力的作用下，能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角的变化，样品中的晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在的两种不同的畸变模式Q2和Q3，在外加压力的作用下的变化规律进行了讨论。由于这两种不同的畸变模式在受到外力作用时，表现形为不一样，导致了位于a-b基面上的Q2畸变模式的消失，并且导致Q2畸变模式消失的压力点随掺杂浓度的增加而增加。

简介：用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

简介：通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。

简介：考察了锆助剂含量对钴基催化剂的结构及费－托合成反应性能的影响。结果表明，随着锆含量的增加，甲烷的生成受到抑制，重质烃选择性提高，重质烃合成的操作温度区间加宽，且催化剂仍保持较高的活性。TPR，H2－TPD，XRD及EXAFS等表征结果表明，锆助剂单层分散与硅胶表面，而钴以一定尺寸的聚集态存在；随着锆含量的增加，锆覆盖的硅胶表面增加，裸露的硅胶表面减小，而钴的分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大，钴硅界面减小，有利于重质烃的生成。另外，H2－TPD结果还表明，催化剂存在有从钴到锆硅载体的氢溢流。

简介：利用XRD、TPR和EXAFS等手段考察了焙烧温度对Cu/MnO2/ZrO2催化剂性能影响，结果表明，随着焙烧温度增加，铜的配位环境发生变化，铜和锰之间相互作用增强，有效地防止铜组分在还原及反应过程中聚集长大，从而使催化剂活性显著增加，当催化剂经过高温焙烧，催化剂活性由于ZrO2结晶和铜的聚集而降低。

简介：首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫，在最经济的烟气脱硫温度窗口（120－250℃）显示出高的脱硫活性，考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂的预氧化对硫脱活性的影响，并对脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明：经250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂具有最高的脱硫活性。200℃煅烧，前驱体Cu(NO3）2未完全分解：高于250℃煅烧，活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶，从而发生烧结，聚集，以上均导致脱硫剂活性的下降，尽管不同温度煅烧的CuO/AC表现出大的脱硫活性差异，但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在，其中的Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

简介：采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术，在室温下对晶粒尺寸为10nm的锐钛矿TiO2进行了压致相变研究，压力范围分别为42．9GPa和23．0GPa，实验结果表明，在16．3GPaTiO2发生了一次结构相变，由原来的锐钛矿结构变为α－PbO2结构（TiO2-Ⅱ），该相变是不可逆的。同体材料TiO2的高压相变结果比较，由于晶粒尺寸的效应，纳米尺寸的锐钛矿TiO2的相变压力明显高于体材料的相变压力。

简介：应用激光激发荧光谱实验对经热处理后及高压条件下的氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析，实验显示，热处理效应和高压效应均导致薄膜荧光效率降低，前者表现为不可恢复，后者为可恢复即卸压后荧光效率的恢复，表明导致荧光光谱效率降低的微观机制不同，为氮碳薄膜荧光模型提供了新的实验证据。