简介:通过同步辐射扩展X射线吸收精细结构(SREXAFS)研究As超富集植物大叶井口边草(PteriscreticaL.)中As的化学形态及其在植物体中的转化。结果表明,在大叶井口边草中As主要与0配位,根部存在与GSH结合的As,但是在叶片中没有发现与GSH结合的As。在As(1lI)和As(V)处理中,植物根系的As分别以As(III)和As(V)为主,但是在叶柄和叶片中As都以As(III)的形态为主。植物根系吸收的As(v)在向上转运的过程中具有向As(III)转化的趋势,其转化过程主要发生在根部。实验证明,As-GSH并不是大叶井口边草中砷解毒的主要机理,超富集植物可能具有与一般耐性植物不同的重金属解毒机制。
简介:采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变,即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。
简介:本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置(BSRF)上的3W1高功率(总功率为2.54W)扭摆磁铁(Wiggler)光束线(包括前端区、3W1A和3W1B)而设计和建造的。主要建造目的是,保护北京正负电子对撞机(BEPC)电子储存环的超高真空系统和其它光束线不要受到在某一条光束线上突然发生的灾难性真空事故的破坏,以及保护无水冷却和冷却水意外中断了的光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来的高功率同步辐射所损坏。此外,在活动水冷挡光罩关闭之前,为了防止快速阀的阀板因过热而被损坏,在快速阀中使用了一种熔点温度为1680℃的钛合金阀板。为了给扭摆磁铁光束线提供一个可靠的真空控制保护系统,系统设计是以F1-60MR型可编程序控制器(PLC)为基础的,PLC负责管理系统的状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了系统的设计。