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  • 简介:TheDCcharacteristicsofSiGeHBTirradiatedatdifferentelectrondosehavebeenstudiedinacomparisonwiththoseofSiBJT.Generally,IbandIb-Ib0increase,Ic,Ic-Ic0andits+/-transitionVbeaswellasDCcurrentgainβdecreaseswithincreasingdose;increaseofIb-Ib0withincreasingdoseforSiBJTismuchlargerthanthatforSiGeHBT;βincreaseswithVbeorIb,butdecreasesatIb<0.25mAwithIb,andcongregatesathigherdose;andadamagefactord(β)ismuchlessatthesamedoseforSiGeHBTthanforSiBJT.SiGeHBThasmuchbetteranti-radiationperformancethanSiBJT.SomeanomalousphenomenaforincreaseofIc,Ic-Ic0,Ib-Ib0andβatlowdosehavebeenfound.Someelectrontrapshavebeenmeasured.Themechanismofchangesofcharacteristicsisdiscussed.

  • 标签: 微波器件 砷化镓 硅-锗 HBT 直流电 半导体器件
  • 简介:基于石墨的六角层片模型,通过分析石墨晶体结构及不同位置碳原子的成键特性,提出石墨晶体中的边缘碳原子和基面碳原子具有不同的电化学特性,建立球形石墨颗粒的紧密堆积模型,推导石墨颗粒中表面碳原子(SCA)及边缘碳原子(ECA)分数与石墨的晶体结构参数和颗粒尺寸之间的计算公式,讨论ECA对首次不可逆容量的影响机理并进行验证。结果表明,边缘碳原子的电化学活性较高,易于发生电解液分解并与其它碳原子或基团形成稳固的联接。对于实际石墨颗粒,通过引入相应的修正因子可以修正计算结果,修正后的计算公式可以适用于多种碳材料,如石墨,乱层碳及改性石墨的SCA及ECA分数的计算。

  • 标签: 锂离子电池 碳负极 计算模型 电化学性能 作用机理
  • 简介:采用SEM、TEM、EDS、DSC、XRD和拉伸实验研究铸态7X50合金及其均匀化处理过程的组织演变。结果表明,铸态7X50合金相组成主要有S(Al2CuMg)、T(Al2Mg3Zn3)、MgZn2和少量的Al7Cu2Fe和Al3Zr相。均匀化处理过程中枝晶网和残留相逐渐减少,经(470°C,24h)+(482°C,12h)均匀化处理时,T相消失,S相有微量残留,Al7Cu2Fe相几乎没有变化。铸态合金的DSC曲线中在477.8°C处有一较强吸热峰,经470°C、1h均匀化后合金的DSC曲线在487.5°C处出现一个新的吸热峰,而经482°C、24h均匀化处理后合金在487.5°C处的吸热峰基本消失。在XRD谱中未出现T(Al2Mg3Zn3)相,这和T相与S(Al2CuMg)及MgZn2相相关的结论相吻合。预均匀化处理制备的板材中再结晶晶粒分数明显降低,抗拉强度和断裂韧性相对常规均匀化处理制备的板材分别提高约15MPa和3.3MPa·m1/2。

  • 标签: 7X50铝合金 组织演变 均匀化处理 残余相 再结晶