简介:为研究通孔直径在钢管涡流检测中对检测信号的影响,开展了不同磁化强度下钢管通孔涡流检测试验,研究了不同直径通孔随磁化电流的信号变化特征。试验结果表明:通孔直径一定时,在非饱和磁化区(6~18A)内,信号幅值随电流的增加先增大后减小,相位角随电流的增加逐步上升,在饱和磁化区(20~22A)内,检测信号成形较小或严重扭曲,相位变化杂乱无章;当磁化电流一定时,信号幅值随通孔直径的增大而增大,不同直径通孔间信号相位角在非饱和磁化区(6~18A)内,最大值与最小值的极值偏差在10°~18°范围内变化,差异较小,而在饱和磁化区(20~22A)信号相位角变化起伏较大,无明显规律。试验研究结果可用于指导钢管涡流检测工程实践。
简介:在硫代硫酸盐浸出液中人工加入砷黄铁矿以了解砷黄铁矿在硫代硫酸盐浸金过程中发挥的作用。通过热力学计算、矿物溶解行为实验、浸出实验和XPS分析,研究砷黄铁矿对硫代硫酸盐浸金过程的影响。结果表明:砷黄铁矿对硫代硫酸盐分解过程有催化作用,随着砷黄铁矿用量的增加,硫代硫酸盐的消耗量增加,而在金表面生成的钝化膜则会显著降低金的溶解量。XPS分析结果表明:金表面的钝化膜由Cu2S或者Cu(S2O3)35-、元素S、FeOOH和砷酸铁构成。向浸出液中加入添加剂可以降低砷黄铁矿对硫代硫酸盐浸金过程的不利影响。研究结果表明:在含有砷黄铁矿的硫代硫酸盐浸金过程中,添加剂羧甲基钠(CMC)和磷酸钠(SHPP)都可以在降低硫代硫酸盐的消耗的同时增强金的溶解。
简介:镍钛形状记忆合金样品分别在573、723和873K时效2h。在573和723K时效的镍钛样品中,可以观察到2个R相变体,而且这2个R相变体与B2基体之间的取向关系可以确定。在573和723K时效的镍钛样品中,细小均匀的Ni4Ti3沉淀相与B2奥氏体基体之间保持共格关系。在873K时效的镍钛样品中,可以观察到Ni4Ti3沉淀相在晶粒内部和晶界处析出,不均匀的Ni4Ti3沉淀相与B2基体之间保持共格、半共格和非共格关系。对于873K时效的镍钛样品,加热时发生B19’马氏体向B2奥氏体转变的一阶相变,但在冷却时发生B2-R-B19’的二阶相变。723K时效的镍钛样品在冷却时也表现出B2-R-B19’的二阶相变,但在加热时发出B19’-R-B2的二阶相变。对于573K时效的镍钛样品,由于Ni4Ti3沉淀相周围的局部应力不均匀和局部成分不均匀,则其发生三阶相变。
简介:采用SEM、TEM、EDS、DSC、XRD和拉伸实验研究铸态7X50合金及其均匀化处理过程的组织演变。结果表明,铸态7X50合金相组成主要有S(Al2CuMg)、T(Al2Mg3Zn3)、MgZn2和少量的Al7Cu2Fe和Al3Zr相。均匀化处理过程中枝晶网和残留相逐渐减少,经(470°C,24h)+(482°C,12h)均匀化处理时,T相消失,S相有微量残留,Al7Cu2Fe相几乎没有变化。铸态合金的DSC曲线中在477.8°C处有一较强吸热峰,经470°C、1h均匀化后合金的DSC曲线在487.5°C处出现一个新的吸热峰,而经482°C、24h均匀化处理后合金在487.5°C处的吸热峰基本消失。在XRD谱中未出现T(Al2Mg3Zn3)相,这和T相与S(Al2CuMg)及MgZn2相相关的结论相吻合。预均匀化处理制备的板材中再结晶晶粒分数明显降低,抗拉强度和断裂韧性相对常规均匀化处理制备的板材分别提高约15MPa和3.3MPa·m1/2。
简介:研究烧结温度对含Mn-Nb-Tb的Zn-V-O基陶瓷显微组织和压敏性能的影响。结果表明,随着烧结温度由875°C升高到950°C,烧结陶瓷样品的密度由5.55g/cm3降低到5.45g/cm3,其平均晶粒尺寸由4.1μm增大至8.8μm,击穿场强由7443V/cm显著降低至1064V/cm。经900°C烧结的压敏陶瓷样品具有明显的非线性特性,其非线性系数为49.4,漏电流密度为0.21mA/cm2。当烧结温度由875°C升高到950°C时,Zn-V-O基陶瓷样品的介电常数由440.1增大到2197.2,其损耗因数的变化范围为0.237-0.5。因此,本研究中Zn-V-O基陶瓷组分和烧结条件有利于以银为内电极的先进多层芯片压敏电阻的开发。
简介:采用丝印法在铝基板上制备具有低室温电阻率、适中热敏常数的负温度系数BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3/Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3复合热敏厚膜。采用数字多用表、吉时利2400和阻抗分析仪对热敏厚膜的电学性能进行表征。结果表明:随着Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3含量从0.05增加至0.25,厚膜的室温电阻率、热敏常数和峰值电压均有所增加且分别处于1.47-26.5Ω·cm、678-1345K和18.9-47.0V范围内,厚膜峰值电压对应的电流也有所降低且处于40-240mA范围。阻抗谱测试表明,这些热敏厚膜表现出非正常的异质电学微结构行为,由高阻态的晶粒和较低电阻态的晶界区域构成。由此可知,在BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3中添加Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3改善了热敏行为但也恶化了电流特征.