简介：介绍了—种快速填盲孔电镀铜工艺，镀液的基本墨目成和工艺条件是：CuSO4·5H3O210g／L，H2SO485g／L，Cl-50ng／L，湿润剂C（环氧乙烷与环氧丙烷缩聚物）（5-30）ml／L，整平剂L（含酰胺的杂环化合物）（3～16）ml／L，加速剂B（苯基聚二硫丙烷磺酸钠）（0．5-3）ml／L，温度23℃，电流密度1．6A／dm2，阴极摇摆15回／min或空气搅拌。研究了湿润剂C，整平剂L和加速剂B对盲孔填孔效果的影响，结果表明湿润剂C与加速剂B用量对填孔效果影响较大，而整平剂L影响较小。加入适量的该添加剂体系到基础镀液中，常规的HDI盲孔（孔径100μm～125μm，介质厚度75um）在表面镀层厚度12μm-15μm时，可以实现填孔率大于95％，得到铜镀层的延展性和可靠性满足印制电路板技术要求。此外，本研究测定了该添加剂体系填孔过程，明确其药水爆发期在起镀的（15～20）min，而且爆发期期间孔内的沉积速度是表面的至少11倍。

简介：多少年以来，SCR、MOSFET和1GBT占据了大功率器件市场的主要份额，近年来，新型功率器件不断涌现，如IGGT、IEGT、IPEM和PEBB、SiC器件、GaN器件芋。文中主要介绍这些功率器件的结构、工作原理．特性参数和应用实例，

简介：镀锡层具有抗腐蚀性、无毒性和可焊性,被广泛应用于印制板领域。文章概述了应用于PCB镀锡过程中的电镀锡工艺种类和添加剂的发展状况。对各种镀锡的工艺和特点进行了归纳、总结,指出未来电镀纯锡仍将占主导地位。介绍了不同添加剂在镀锡中的作用,指出添加剂将由单一型向多样型发展,并对添加剂的应用进行了展望。

简介：采用恒电流（GM）电化学方法研究了电镀添加剂（3-巯基-1-丙烷磺酸钠（SPS）、环氧乙烷／环氧丙烷嵌段聚合物（EO／P05800）、3-羧基-1-（苯基甲基）吡啶翁氯化钠（BN—Betaifie））相互作用及其对铜沉积电位的影响，运用循环伏安（cV）技术分析了添加剂在电极表面的吸附以及旋转圆盘电极（RDE）转速、添加剂浓度对覆盖率的影响。包含0．0001％SPS、O．02％~O／PO、O．001％BN—Betaine的酸性镀铜液用于盲孔铜沉积测试，分析了电镀填孔在不同时期（初始期、爆发期、末期）盲孔填充性能变化规律。借助多物理场耦合平台，建立微盲孔铜沉积模型，用有限元方法讨论了电镀铜过程，获得铜沉积速率变化规律，结论与实验结果一致。

简介：人们的工作场所和工作方式正在发生改变，而IT部门必须满足这一职场发展的需求。Polycom．Inc《纳斯达克PLCM）专注于为客户提供高品质的视频协作体验．以及协助客户获得成功。日前，Polycom公司宣布推出几项新服务，以帮助IT管理员做出更明智的决策、

简介：文章将无线传感技术运用于智能家居系统设计,提出ZigBee无线网络智能家居系统的技术解决方案,对ZigBee网络里面基本的协调器节点以及传感器节点进行了设计,并且对上位机软件原理、数据、流程进行了优化设计。

简介：近日，霍尼韦尔电子材料部推出新型霍尼韦尔PTM6000相变材料（PCM）。PTM6000是霍尼韦尔最新研发的一款导热界面材料（TIM），可有效提高先进半导体设备的导热和散热性能。

简介：本文提出一种新型Boost软开关变换器。由于传统Boost变换器在开关过程中会产生开关损耗，将会导致整个系统的效率降低。本文提出一种由辅助开关和共振电路实现的软开关电路。通过使用软开关，使变换器的开关损耗大大降低。这种新型的软开关技术可以应用在光伏发电、功率因数补偿等方面。详细分析了这种变换器各阶段工作模态的等效电路和实现软开关的条件，并且通过MATLAB／Simulink进行仿真分析。仿真结果表明，所有的开关电路均工作于软开关状态，同时变换器的效率得到了提高。

简介：<正>一般来说,石墨烯是一种六边形结构的碳材料。日前,北京大学应用物理与技术研究中心王前教授课题组与其他国际合作者模拟了一种称为五边形石墨烯的新型碳材料的合成。与由碳六元环所构成的石墨烯不同,这种碳的新同素异形体是以纯碳五元环为结构基元构成的二维结构,并具有可与石墨烯媲美的优异性质。该研究成果近日发表在《美国科学院院刊》上。

简介：<正>市面上能买到的LED灯,虽然耗电量仅为白炽灯的6%,使用寿命长达5万小时以上,但动辄数十倍的售价,使LED灯无法走入百姓家。南京理工大学近日传出消息,该校取得新型二维半导体研究进展,有望制造出新型材料,大大降低LED灯生产成本,该研究成果已经在线发表在化学与材料等学科顶尖期刊

简介：英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE（sat）IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源（UPS）以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOPtM5薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。