简介：在Bertotti分离铁耗计算模型的基础上,结合标准正弦供电时电机损耗,推导PWM控制逆变器供电下异步电机损耗的计算模型,该模型主要体现了逆变器参数与电机损耗之间的关系。在大功率和低开关频率的铁路系统中,利用上述模型更深一步地分析与总结了恒磁通和恒功率下铁损随运行频率与逆变器参数的变化规律,着重研究了低开关频率下同步调制策略对电机铁耗的影响,以一台7.5kW的电机铁损计算为例,验证了该模型的有效性与可行性,为大功率牵引传动系统电机效率提升的研究提供了参考依据。

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简介：<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功

简介：近日,澳大利亚通过硅元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学（UNSW）量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.

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简介：随着改革开放的不断深入和发展，近几年我国文化艺术领域得到前所未有的迅速发展，文艺演出的表演形式、表演内容越来越丰富；各种规模的艺术中心、歌舞剧院在全国各地兴建；各省、市、自治区电视台在改造老型演播室的同时．纷纷计划筹建大型多功能演播厅，以满足人民群众在精神生活上日益增长的需求。

简介：客户对线路板供应商PCB可靠性有着非常严苛的检验标准，在多达十几项的检验项目中，与结合力相关的检测项目普遍占1／3甚至更多。因此有必要研究铝基的表面处理方法，选取结合力更好的处理方法进行制作，从而提高线路板的可靠性，以满足电子产品高可靠性的要求。文章主要对铝基的不同表面处理工艺进行研究，通过对比不同表面处理工艺的结合力，为PCB业者提供参考刚挠结合板AL表面处理工艺方法。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：据《每日科学》2016年4月16日报道,在纳米光子领域,科学家首次实现了在硅基光子芯片上集成一个有机增益介质激光器,这一突破可对生产低价生物传感器带来无限潜能。来自卡尔斯鲁厄研究所（KIT）的研究人员开发了一种新的红外激光,将纳米硅质波导管和掺杂了有机染料的聚合物相结合,由此,激发这个有机激光器的能量来自于芯片上部与芯片表面垂直的脉冲光源。研究人员成功地将产生的脉冲激光辐射控制在1310nm波长范围,

简介：<正>2003年1月8日,我国年产1000吨多晶硅国家高新技术产业化示范工程,在四川省乐山市高新技术开发区开工建设。该项目是国家计委批准,由四川省新光硅业科技有限公司建设的国内唯一一条年产1000吨多晶硅的生产线,是西部大开发中目前国家投资最大的高科技项目,该项目总投

简介：随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发，硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法，以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后，进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。

简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

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简介：高厚度铝基板是一种特殊印制板，其具有良好的尺寸稳定性和导热性，逐渐被应用于军用设备和高科技民品领域，文章对高厚度铝基板的加工工艺进行了探讨，并对生产过程存在的问题进行分析并找出改进措施。

简介：<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的硅集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通硅晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领

简介：介绍了纳米硅开关二极管的电特性及其应用。

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简介：<正>据报道,美国哥伦比亚大学一项新研究证明石墨烯具有卓越的非线性光学性能,并据此开发出一种石墨烯-硅光电混合芯片。这种硅与石墨烯的结合,让人们离超低功耗光通信近了一步,让该技术在光互连以及低功率光子集成电路领域具有广泛的应用价值。相关论文发表在《自然·光学》杂志网站上。该研究团队由哥伦比亚大学的工程师和新加坡微电子研究所的研究人员组成。他们通过放置一个碳原子厚度的石墨烯薄片,成功将不发生光电或电光