简介：为了低损耗开关模式电源（SMPS）结构的最佳化，硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导，并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性模式时，具有热集中的倾向。由于已发表的分析方法需要硅器件数据的支持，而这些数据常常涉及知识产权，因此向电路的设计者提供这些方法几乎是不能使用的。本文介绍了使用非知识产权的规一化的芯片面积信息作为评价在线性模式应用中的MOSFET器件适用性的客观标准。

简介：Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性，器件和制程又可与SL工艺兼容，采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管（HeterojunctionBipolarTransistor，HBT），其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平，而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索，在总结大量数据的基础上，验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时，文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。

简介：为了准确评估终端区容量,介绍了基于管制员工作负荷的主观容量评估和基于空域结构的计算机仿真容量评估2种方法,建立了主客观综合容量评估模型。最后,以南京禄口机场终端区容量评估为例,对该模型进行了验证。

简介：喷墨打印阻焊剂自研发以来，因树脂油墨剪切变稀和触变性等特点，一直不能有效解决阻焊剂喷墨初始阶段稳定性问题。对此，本研究以BoltornH2O为原料，合戍了一种超支化丙烯酸化合物，在与TMP3EOTA及UV固化剂混合后，可以获得稳定性好的阻焊油墨，在光源照度1w／cm2条件下固化速度低于20S，固化膜的热分解温度超过300℃，阻焊膜的其他性能符合IPC—SM-840C和CPCA4306—2011等相关标准。

简介：企业的社会责任，是它的自然属性，也是企业持续发展的客观要求。我认为如果把电信服务工作做好了，就尽到了电信企业应有的社会责任了。对于电信企业，从2008年1～2月南方的冰冻雨雪天气，尤其5．12的汶川县的大地震，可以看得出来，通信不仅在平时，能给社会公众生活和工作带来方便，也可以提升人们在社会工作和生活的价值，尤其在自然灾害的面前更凸显出它的作用。这就说明了我们电信企业的责任很重大。

简介：

简介：提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式，并保持输出逻辑电平不变，而当输入端有相同的逻辑值时，C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器，以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性，一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟，以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10％以内。

简介：<正>是德科技公司宣布推出适用于射频功率放大器(PA)表征和测试的全新PXI参考解决方案,支持工程师执行S参数、谐波失真、功率和解调测量,对功率放大器-双工器(PAD)等下一代功率放大器模块实施快速和全面的表征。它经过优化,能够提供更高的测量吞吐量和测量精度。这款功能齐全的小型PXI参考解决方案是目前业界唯一适合对射频功率放大器及其周边所有无源器件(例如滤波器和双工器)执行设计验证和产品测试的解决方案。