简介：虽然LTE系统中部分频率复用和软频率复用两种方法都可有效地避免小区间干扰,但当大量移动用户聚集在某小区中的某扇区时,可能导致该小区中不同扇区用户需求及其频谱资源分配产生严重的负载不平衡。改进的可调部分频率复用方法通过重新调整各扇区的频谱资源分配,寻找与相邻小区不同扇区间不相干扰的可用频谱资源来改善用户平均传输量及频谱资源的利用率,改善因负载不平衡所造成的频谱资源分配不均衡。从模拟仿真结果可知,可调部分频率复用方法在系统未达到满负载容量前较前两种频率复用方法更能有效改善用户平均传输量及频谱资源的利用率。

简介：

简介：本文介绍了MPEC-1的音频层Ⅱ压缩算法原理及其硬件实现。首先叙述子带变换．MDCT原理和心理声学模型，然后介绍算法的实现和系统的硬件实现。

简介：对线性调频（LFM）回波信号部分遮挡情况下的数字脉冲压缩进行了理论推导，并与完整信号的数字脉冲压缩进行了对比，证明了部分脉压不会影响雷达测距，但雷达的距离分辨率有所降低。最后给出了仿真结果。仿真表明，部分脉压可以扩大雷达的实际作用距离，这与理论推导结果相一致。此方法对于大时宽雷达具有一定的应用价值。

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简介：近日，英国反盗版联盟（FACT）联手警方查封了英国最大的电视盗版网站TV.Links．co．uk，拉开了打击电视盗版网站的序幕。据据英国反盗版联盟称，这次查封同时还逮捕了该网站一名26岁的管理员和部分职员。

简介：CP-7882／3／4／5、TX-6886、长城168等机型在编辑、删除频道时经常出现频道全部丢失或死机等现象，怎样才能解决这一问题呢？

简介：继上海电信启动百兆宽带“光纤入户”的同时，中国联通也在其“光纤入户”试点城市天津启动了宽带大提速工程，计划在今年年底实现IOM及以上速率宽带入户，先期覆盖30万家庭用户。

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简介：<正>国际半导体设备暨材料协会(SEMI)释出电子业淡季讯息,近日公布8月北美半导体设备订单出货比(Book-to-BillRatio,B/B值)终止连7个月逾1的走势,滑落至O.98,为今年来首度跌破1,宣告半导体产业即将走人年底淡季。分析师指出,SEMI的B/B值是针对设备厂商的统计,通常反映台积电、日月光等制造厂商未来三到六个月的产能计划,也反映了未来三到六个月的景气。北美半导体B/B值是指半导体设备厂当月接到设备的订单,以及当月出货

简介：随着社会经济的不断发展,无线电技术不断推陈出新,频谱需求增长与频率资源有限之间的矛盾日益突出。本文通过梳理英国、丹麦、芬兰等欧洲国家的无线电频率资源收费政策现状,提出了可供我国参考的无线电频率资源收费管理相关政策建议。

简介：采用舒适的生产线控制器软件可以简化生产线配置、缩短产品转换时间、优化取-放机的功能、并缩短费用昂贵的停机时间。

简介：本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

简介：5月23日,有日媒报道,日本政府将于2020年允许无人驾驶的乘用车在部分地区上路.自2017年起,在人口过疏地区和郊外的公路上启动行驶试验.到2020年东京奥运会和残奥会期间,在部分地区将允许民营企业提供无人出租车等服务.日本《道路交通法》和《道路运输车辆法》等法规也将进行修订.

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简介：部分2004年产同洲牌CDVB-3188C—S1接收机的门限指标较其它机型明显偏高，在本地收亚3S卫星需配1.8米以上天线此外．该机也接收不到Ku波段信号．

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：这里刊出的是我国已经发布实施的关于UPS电磁兼容性要求的最新国家标准。本刊作为学习资料摘录连载，以利宣传贯彻。如需引用，请查阅标准原件。

简介：为抓好2015年全国无线电管理工作要点的贯彻落实，研究无线电管理工作开展中的重点问题，7月17日，工业和信息化部无线电管理局在北京召开部分省市无线电管理工作座谈会，工业和信息化部副部长刘利华出席座谈会并讲话。