简介:Electricallypumpedhighpowerterahertz(THz)emittersthatoperatedaboveroomtemperatureinapulsemodewerefabricatedfromnitrogen-dopedn-type6H-SiC.Theemissionspectrahadpeakscenteredon5THzand12THz(20meVand50meV)thatwereattributedtoradiativetransitionsofexcitonsboundtonitrogendonorimpurities.Duetotherelativelydeepbindingenergiesofthenitrogendonors,above100meV,andthehighthermalconductivityoftheSiCsubstrates,theTHzoutputpowerandoperatingtemperatureweresignificantlyhigherthanpreviousdopantbasedemitters.Withpeakappliedcurrentsofafewamperes,andatopsurfaceareaof1mm2,thedeviceemittedupto0.5mWatliquidnitrogentemperature(77K),andtensofmicrowattsupto333K.ThisresultisthehighesttemperatureofTHzemissionreportedfromimpuritybasedemitters.
简介:研究表明含氟气体的性质决定了原子氟(F)的转化效率,通常在CxFy气体中x的值越大,氟(F)的转化效率也就会越高。所以C3F8(八氟丙烷)比C2F6(乙氟烷)具有更高的利用效率,更少的PFC(全氟化物)的排放。文章主要研究在以四乙氧基硅烷(TOES)为基础的离子增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)的清洗制程中,利用分解效率高的C3F8气体取代C2F6气体。通过实验设计(DesignOfExperiment,DOE),调整腔体压力、射频(RF)功率、气体流量等参数,最终得到最优化的新清洗配方。应用到实际的量产中,有效地降低了成本,减少了PFC的排放。
简介:<正>北京-电子设计创新会议(EDICON2014)─2014年4月9日─Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人、先进的射频解决方案之先驱,今天,在电子设计创新会议(EDICON2014)上,宣布UltraCMOSGlobal1在大中华地区首次亮相。UltraCMOSGlobal1是行业中第一个可重构射频前端(RFFE)系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件,Ul-traCMOSGlobal1是单一平台的设计──一个SKU,全球使用──能够在全球所有地区运作。该系统包括产业界第一个LTECMOS功率放大器(PA),它
简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。