简介:T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。在脉冲周期状态下,T/R组件中的功放芯片在很短的时间内,芯片沟道温度会产生快速的变化。针对芯片在脉冲周期中的瞬态温度响应问题,对芯片沟道温度的瞬态变化进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证。将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。
简介:覆铜板的无卤化发展迅速,无卤覆铜板已成为主流的覆铜板产品。文章制备了一种无卤高T_g中损耗覆铜板,该材料有优异的耐热性,T_g(DSC)〉180℃,T_g(DMA)〉190℃,T_d(5%loss)〉390℃;并具有优异的粘结性能、优异的加工性能和较低的CTE。
T/R组件功放芯片瞬态温度响应研究
一种无卤高T_g中损耗覆铜板的制备