简介:简单来说,ProjectAra项目的目的是希望通过开源硬件开发一款可高度模组化的智能手机。该项目允许消费者像乐高积木一样可以自由选择、替换、移除任何零组件,其中包括处理器、屏幕、键盘、电池及其他等等手机常见组件,这使得消费者可以轻松替换掉单一的一个故障致或过时的零组件,从而减少电子垃圾,并最大程度的延长手机生命周期。谷歌称,'AdvancedTechnologyandProjects'部门一直低调,但却从未停止努力。ProjectAra模块化智能手机项目从未消亡,去年年底的时候,谷歌已推出了开发者版ProjectAra智能手机。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。